CMOS低噪声放大器的分析研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-12页 |
| ·课题背景及选题意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-10页 |
| ·本文主要研究内容 | 第10-12页 |
| 2 低噪声放大器性能参数 | 第12-22页 |
| ·增益 | 第12-13页 |
| ·噪声 | 第13-16页 |
| ·二端口网络噪声系数 | 第13-15页 |
| ·MOSFET噪声分析 | 第15-16页 |
| ·非线性 | 第16-17页 |
| ·拓扑结构 | 第17-19页 |
| ·最佳栅宽的选择 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 3 共源共栅放大器 | 第22-41页 |
| ·共源放大器设计 | 第22-26页 |
| ·电感源级负反馈结构 | 第22-24页 |
| ·单纯共源放大器 | 第24-26页 |
| ·共栅放大器设计 | 第26-29页 |
| ·共源共栅放大器设计 | 第29-36页 |
| ·直流工作特性 | 第30-32页 |
| ·射频工作特性 | 第32-36页 |
| ·两级放大器设计 | 第36-40页 |
| ·级联电路性能指标 | 第36-37页 |
| ·级联电路设计 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 低功耗放大器 | 第41-52页 |
| ·直流分离技术共源共栅放大器设计 | 第41-45页 |
| ·电流复用技术放大器设计 | 第45-51页 |
| ·直流特性 | 第46-48页 |
| ·射频特性 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 结论及展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 附录 | 第58页 |