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CMOS低噪声放大器的分析研究

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
1 绪论第7-12页
   ·课题背景及选题意义第7-8页
   ·国内外研究现状第8-10页
   ·本文主要研究内容第10-12页
2 低噪声放大器性能参数第12-22页
   ·增益第12-13页
   ·噪声第13-16页
     ·二端口网络噪声系数第13-15页
     ·MOSFET噪声分析第15-16页
   ·非线性第16-17页
   ·拓扑结构第17-19页
   ·最佳栅宽的选择第19-21页
   ·本章小结第21-22页
3 共源共栅放大器第22-41页
   ·共源放大器设计第22-26页
     ·电感源级负反馈结构第22-24页
     ·单纯共源放大器第24-26页
   ·共栅放大器设计第26-29页
   ·共源共栅放大器设计第29-36页
     ·直流工作特性第30-32页
     ·射频工作特性第32-36页
   ·两级放大器设计第36-40页
     ·级联电路性能指标第36-37页
     ·级联电路设计第37-40页
   ·本章小结第40-41页
4 低功耗放大器第41-52页
   ·直流分离技术共源共栅放大器设计第41-45页
   ·电流复用技术放大器设计第45-51页
     ·直流特性第46-48页
     ·射频特性第48-51页
   ·本章小结第51-52页
结论及展望第52-53页
致谢第53-54页
参考文献第54-58页
附录第58页

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