| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·润湿性能 | 第8-12页 |
| ·接触角定义与Young's方程 | 第8页 |
| ·Wenzel模型 | 第8-9页 |
| ·Cassie-Baxter模型 | 第9-10页 |
| ·Cassie-Baxter与Wenzel过渡态 | 第10页 |
| ·接触角滞后 | 第10-11页 |
| ·滚动角 | 第11-12页 |
| ·超疏水表面 | 第12-13页 |
| ·超疏水表面的制备方法 | 第13-16页 |
| ·机械加工法 | 第13页 |
| ·电化学法 | 第13-14页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第14页 |
| ·刻蚀法 | 第14-15页 |
| ·气相沉积法 | 第15页 |
| ·静电纺丝法 | 第15页 |
| ·模板法 | 第15-16页 |
| ·纳米管阵列法 | 第16页 |
| ·本文的研究目的与内容 | 第16-18页 |
| 2 薄膜的制备方法及性能分析 | 第18-23页 |
| ·磁控溅射沉积薄膜的原理 | 第18-19页 |
| ·本实验所用仪器简介 | 第19-20页 |
| ·Cu薄膜制备工艺 | 第20-21页 |
| ·薄膜的表征手段 | 第21-23页 |
| ·接触角测试仪 | 第21页 |
| ·X-射线衍射仪 | 第21-22页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第22页 |
| ·傅里叶变换衰减全反射红外光谱仪 | 第22页 |
| ·原子力显微镜 | 第22-23页 |
| 3 射频磁控溅射法制备Cu薄膜 | 第23-35页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·实验材料和仪器 | 第23页 |
| ·Cu薄膜制备 | 第23-24页 |
| ·不同工艺参数下Cu膜的制备 | 第23-24页 |
| ·不同基底上Cu膜制备 | 第24页 |
| ·Cu膜的表征 | 第24-34页 |
| ·不同溅射压强下制备Cu膜的结构和形貌 | 第24-27页 |
| ·不同溅射功率下制得Cu膜的结构和形貌 | 第27-31页 |
| ·不同溅射时间下制得Cu膜的结构和形貌 | 第31-33页 |
| ·不同基底上制得Cu膜表征 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 4 铜片和Cu薄膜表面的自组装硫醇膜制备及其润湿性能 | 第35-45页 |
| ·引言 | 第35-36页 |
| ·实验试剂与仪器设备 | 第36页 |
| ·铜片表面自组装膜的制备及表征 | 第36-38页 |
| ·铜片上硫醇自组装膜的制备 | 第37页 |
| ·FTIR表征 | 第37页 |
| ·接触角表征 | 第37-38页 |
| ·交流阻抗谱测试 | 第38页 |
| ·正十二硫醇在Cu薄膜上的自组装 | 第38-42页 |
| ·自组装时间对Cu薄膜表面水接触角影响 | 第38-40页 |
| ·不同工艺参数下制备Cu薄膜 | 第40页 |
| ·Cu薄膜上硫醇自组装膜的制备 | 第40页 |
| ·接触角表征 | 第40-42页 |
| ·不同基底上硫醇自组装膜 | 第42-44页 |
| ·不同基底上硫醇自组装膜的制备 | 第42页 |
| ·接触角表征 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 5 超疏水铜表面的制备 | 第45-56页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第45页 |
| ·铜片表面预处理后自组装硫醇膜 | 第45-46页 |
| ·铜片表面预处理 | 第46页 |
| ·接触角表征 | 第46页 |
| ·SAMs/Cu膜/铜片超疏水表面制备及表征 | 第46-49页 |
| ·超疏水表面的制备 | 第46-47页 |
| ·XRD表征 | 第47页 |
| ·接触角表征 | 第47-48页 |
| ·FESEM表征 | 第48-49页 |
| ·SAMs/Cu膜/铜片超疏水表面性能 | 第49-52页 |
| ·超疏水表面粘附性能 | 第49-50页 |
| ·超疏水表面抗腐蚀性质的研究 | 第50-52页 |
| ·溅射时间对SAMs/Cu膜/铜片表面润湿性能影响 | 第52-53页 |
| ·Cu薄膜制备 | 第52页 |
| ·接触角表征 | 第52页 |
| ·FESEM表征 | 第52-53页 |
| ·溅射功率对SAMs/Cu膜/铜片表面润湿性能影响 | 第53-54页 |
| ·Cu薄膜制备 | 第53页 |
| ·接触角表征 | 第53-54页 |
| ·溅射压强对SAMs/Cu膜/铜片表面润湿性能影响 | 第54-55页 |
| ·Cu薄膜制备 | 第54页 |
| ·接触角表征 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 全文结论 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
