中频反应磁控溅射法制备AlN薄膜
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| ·选题来源及意义 | 第11-13页 |
| ·课题的背景及现状 | 第13-25页 |
| ·AlN的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·薄膜的生长过程 | 第14-18页 |
| ·AlN 薄膜的制备方法 | 第18-22页 |
| ·AlN薄膜的发展现状与应用前景 | 第22-25页 |
| ·本课题研究目的与研究内容 | 第25-26页 |
| ·研究目的 | 第25页 |
| ·研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 实验设计与样品性能检测方法 | 第26-35页 |
| ·实验设计 | 第26-28页 |
| ·实验方案 | 第26页 |
| ·设备系统 | 第26-27页 |
| ·材料的选择和预处理 | 第27-28页 |
| ·AlN薄膜性能检测方法 | 第28-35页 |
| ·薄膜厚度 | 第28-29页 |
| ·薄膜硬度 | 第29-30页 |
| ·薄膜与基体的结合力 | 第30-31页 |
| ·薄膜微观结构 | 第31页 |
| ·薄膜相组成 | 第31页 |
| ·薄膜与基体复合热导率以及热阻 | 第31-33页 |
| ·正交实验极差分析法 | 第33-35页 |
| 第三章 AlN 薄膜制备工艺的初步探索 | 第35-46页 |
| ·实验方案 | 第35-36页 |
| ·薄膜厚度正交工艺分析 | 第36-37页 |
| ·薄膜硬度正交工艺分析 | 第37-38页 |
| ·膜/基结合力 | 第38-41页 |
| ·薄膜的微观结构 | 第41-44页 |
| ·薄膜的相组成 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 沉积工艺参数对 AlN 薄膜质量的影响 | 第46-67页 |
| ·沉积时间对薄膜质量的影响 | 第46-48页 |
| ·离子源功率对薄膜质量的影响 | 第48-55页 |
| ·离子源功率对薄膜的形貌及厚度的影响 | 第49-51页 |
| ·离子源功率与薄膜硬度的关系 | 第51-52页 |
| ·离子源功率与膜/基结合力的关系 | 第52-53页 |
| ·离子源功率与薄膜相组成的关系 | 第53-54页 |
| ·离子源功率对膜/基复合热导率的影响 | 第54-55页 |
| ·偏压对薄膜质量的影响 | 第55-61页 |
| ·偏压对薄膜机械力学性能的影响 | 第56-58页 |
| ·偏压与薄膜微观形貌及相组成的关系 | 第58-60页 |
| ·偏压对膜/基复合热导率的影响 | 第60-61页 |
| ·沉积温度对薄膜质量的影响 | 第61-66页 |
| ·沉积温度对薄膜机械力学性能的影响 | 第61-63页 |
| ·沉积温度与薄膜微观形貌及相组成的关系 | 第63-65页 |
| ·沉积温度对膜/基复合热导率的影响 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 结论与展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 附件 | 第75页 |
