电阻型存储器件的设计，制作及表征

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-9页
第一章 绪论	第9-18页
·传统非挥发性半导体存储器	第9-12页
·对传统浮栅存储器的改进	第12-14页
·纳米晶浮栅存储器	第12-13页
·SONOS存储器	第13-14页
·新型非挥发性存储器	第14-17页
·铁电存储器FRAM	第14-15页
·相变存储器PCM	第15-16页
·电阻型存储器RRAM	第16-17页
·本论文研究内容	第17-18页
第二章 电阻型存储器概述	第18-23页
·电阻开关现象概述	第18-19页
·电阻开关现象产生机制	第19-21页
·RRAM阵列结构	第21-22页
·对未来电阻型存储器性能的展望	第22-23页
第三章 基于NiO薄膜的RRAM研究	第23-30页
·器件制备	第23-24页
·器件的存储性能研究	第24-28页
·测试设备介绍	第24-25页
·器件的存储特性测试	第25-28页
·器件的可靠性研究	第28-30页
第四章 NiO电阻型存储器件的存储机理分析	第30-39页
·NiO电阻型存储器机理简介	第30-32页
·器件制备与基本电学特性测试	第32-34页
·器件的电脉冲测试及结果分析	第34-38页
·NiO电阻型存储器机理分析	第38-39页
第五章 电阻型存储器件的应用研究	第39-53页
·柔性衬底WORM器件	第39-46页
·器件制备	第39-40页
·器件存储性能测试与分析	第40-41页
·器件的可靠性测试	第41-43页
·WORM与RRAM应用的区别	第43-44页
·不同厚度的NiO薄膜对器件性能影响	第44-46页
·一种具有自我学习能力的存储器件	第46-53页
·器件制备与电学特性测试	第46-47页
·器件的短期记忆与长期记忆	第47-53页
第六章 总结与展望	第53-55页
·本课题总结	第53-54页
·展望	第54-55页
致谢	第55-56页
参考文献	第56-60页
在学期间的研究成果	第60页