| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| §1.1 引言 | 第7页 |
| §1.2 纳米材料概述 | 第7-8页 |
| §1.2.1 纳米材料 | 第7-8页 |
| §1.2.2 半导体纳米线 | 第8页 |
| §1.3 碳化硅(SiC)材料的结构与性质 | 第8-11页 |
| §1.3.1 SiC的结构 | 第9-10页 |
| §1.3.2 SiC特性 | 第10-11页 |
| §1.4 3C-SiC纳米线材料的性能及应用 | 第11-12页 |
| §1.5 本论文的研究意义和主要内容 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-17页 |
| 第二章 由Si粉与C粉制备3C-SiC纳米线 | 第17-31页 |
| §2.1 概述 | 第17-19页 |
| §2.2 实验细节 | 第19-20页 |
| §2.3 测试方法 | 第20页 |
| §2.4 样品结构与形貌表征 | 第20-24页 |
| §2.5 样品的生长机理 | 第24-26页 |
| §2.6 PL谱 | 第26页 |
| §2.7 本章小结 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-31页 |
| 第三章 SiO与C粉制备3C-SiC纳米线及其发光性能 | 第31-41页 |
| §3.1 引言 | 第31页 |
| §3.2 实验细节 | 第31-32页 |
| §3.3 测试方法 | 第32页 |
| §3.4 结构分析 | 第32-35页 |
| §3.5 形貌分析 | 第35-36页 |
| §3.6 反应机制 | 第36-39页 |
| §3.7 PL谱测试 | 第39页 |
| §3.8 总结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第四章 化学腐蚀硅粉法制备发光硅纳米颗粒 | 第41-51页 |
| §4.1 引言 | 第41-42页 |
| §4.2 制备工艺 | 第42页 |
| §4.3 测试方法 | 第42-43页 |
| §4.4 化学反应过程 | 第43页 |
| §4.5 Si纳米颗粒的形貌与尺寸 | 第43-44页 |
| §4.6 悬浮于苯、离子水和无水乙醇中的Si纳米颗粒的PL谱 | 第44-48页 |
| §4.7 其他腐蚀溶液对Si纳米颗粒制备过程的研究 | 第48页 |
| §4.8 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| §5.1 工作总结 | 第51页 |
| §5.2 工作展望 | 第51-53页 |
| 研究生期间已发表和待发表的论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
