| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第1章 扫描隧道显微术简介 | 第12-36页 |
| ·STM基本工作原理及模型 | 第12-16页 |
| ·电子隧穿与一维隧穿模型 | 第12页 |
| ·STM的基本原理 | 第12-13页 |
| ·STM的工作模式 | 第13-14页 |
| ·扫描隧道谱 | 第14-16页 |
| ·超高真空扫描隧道显微镜的基本组成及构造 | 第16-22页 |
| ·样品制备室的主要构造 | 第17-18页 |
| ·扫描隧道显微镜的主要构造 | 第18-20页 |
| ·自制的恒高模式的扫描隧道显微镜 | 第20-22页 |
| ·一维体系的扫描隧道显微学研究 | 第22-29页 |
| ·一维体系的电子性质 | 第22-25页 |
| ·电荷密度波 | 第25-27页 |
| ·自旋密度波与Luttinger液体 | 第27页 |
| ·利用扫描隧道显微术对半导体衬底上的原子链进行的研究 | 第27-29页 |
| ·强关联高温超导体的扫描隧道显微学研究 | 第29-33页 |
| ·强关联体系的介绍 | 第29-30页 |
| ·高温超导的扫描隧道显微术研究 | 第30-33页 |
| ·本论文的研究内容 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第2章 Si(111)上In原子链上的拓扑孤子研究 | 第36-60页 |
| ·背景介绍 | 第36-42页 |
| ·Si(111)-(4×1)-In表面简介 | 第36-39页 |
| ·孤子简介 | 第39-42页 |
| ·Si(111)-(8×2)-In链上的孤子 | 第42-50页 |
| ·Si(111)-(8×2)-In链上孤子的形貌 | 第42-45页 |
| ·Si(111)-(8×2)-In系统中孤子的生成能测量 | 第45-47页 |
| ·Si(111)-(8×2)-In系统中孤子的运动以及激活能测量 | 第47-50页 |
| ·Si(111)-(8×2)-In系统中孤子的长度测量 | 第50页 |
| ·Si(111)-(8×2)-In系统中针尖对孤子运动的影响 | 第50-51页 |
| ·Si(111)-(8×2)-In系统中双个孤子的形貌和运动情况 | 第51-56页 |
| ·不同链上孤子靠近后形成二聚体的形貌特征 | 第51-53页 |
| ·孤子形成二聚体后的密度和动力学特征 | 第53-54页 |
| ·同条链上两孤子相遇时的动力学特征 | 第54-56页 |
| ·本章小节 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 第3章 Si(111)-(8×2)-In表面不均匀性的STM研究 | 第60-81页 |
| ·Si(111)-In一维体系的相变简介 | 第60-62页 |
| ·样品的制备 | 第62-63页 |
| ·表面不均匀性的观察 | 第63-69页 |
| ·缺陷密度对表面不均匀性的影响 | 第63-65页 |
| ·缺陷对表面电子态的影响 | 第65-69页 |
| ·针尖电场对表面不均匀性的影响 | 第69-74页 |
| ·表面涨落的观察 | 第69-71页 |
| ·表面上正偏压为绝缘相负偏压为金属相的特殊重构 | 第71-73页 |
| ·特殊重构区域的涨落特性 | 第73-74页 |
| ·针尖电场对重构的调控 | 第74-78页 |
| ·脉冲电场对重构的影响 | 第74-75页 |
| ·高偏压对重构的影响 | 第75-76页 |
| ·大电流对重构的影响 | 第76-78页 |
| ·本章小节 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第4章 基于Si(111)-(4×1)-In重构的一维模板上的分子自组装 | 第81-92页 |
| ·背景介绍 | 第81-82页 |
| ·实验结果 | 第82-88页 |
| ·低覆盖度的情况 | 第83页 |
| ·中覆盖度的情况 | 第83-87页 |
| ·高覆盖度的情况 | 第87-88页 |
| ·本章小节 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-92页 |
| 第5章 铁基超导体BaFe_(2-x)Co_xAs_2的扫描隧道显微学研究 | 第92-113页 |
| ·背景介绍 | 第92-94页 |
| ·BaFe_(2-x)Co_xAs_2表面结构和特性 | 第94-96页 |
| ·BaFe_(2-x)Co_xAs_2 (?)×(?)重构的特性研究 | 第96-107页 |
| ·不同掺杂浓度下(?)×(?)重构 | 第96-101页 |
| ·不同掺杂浓度下(?)×(?)重构表面电子态的特性研究 | 第101-107页 |
| ·BaFe_(1.8)Co_(0.2)As_2 1×1重构的研究 | 第107-109页 |
| ·本章小节 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-113页 |
| 结论与展望 | 第113-114页 |
| 在读期间发表的学术论文及其它研究成果 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
