| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·太阳能电池材料的研究现状和发展趋势 | 第12-18页 |
| ·(Si/Ge)_n、SiGe 材料的结构及制备 | 第18-20页 |
| ·(Si/Ge)_n、SiGe 材料的结构 | 第18-19页 |
| ·硅锗薄膜的制备方法 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究目的及意义 | 第20-21页 |
| ·本论文的研究目的及意义 | 第21-24页 |
| ·本论文的研究内容 | 第21-23页 |
| ·本论文的技术路线 | 第23-24页 |
| 第二章 实验设备与方法 | 第24-31页 |
| ·实验材料的准备 | 第24-25页 |
| ·靶材的制备 | 第24-25页 |
| ·衬底材料的选择及预处理 | 第25页 |
| ·实验设备及原理 | 第25-27页 |
| ·磁控溅射设备及原理 | 第25-26页 |
| ·管式炉设备及原理 | 第26-27页 |
| ·薄膜的溅射制备 | 第27页 |
| ·薄膜的热处理 | 第27页 |
| ·薄膜的表征分析方法 | 第27-31页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第27-28页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第28页 |
| ·场发射扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| ·紫外-可见光谱分析 | 第29页 |
| ·纳米划痕实验分析 | 第29-31页 |
| 第三章 (Si/Ge)_n/quartz 多层薄膜的设计、制备与性能 | 第31-45页 |
| ·(Si/Ge)_n/quartz 多层薄膜的设计、制备 | 第31-32页 |
| ·(Si/Ge)_n/quartz 多层薄膜的性能分析 | 第32-36页 |
| ·(Si/Ge)_n/quartz 多层薄膜的结晶性能分析 | 第32-34页 |
| ·(Si/Ge)_n/quartz 薄膜的表界面分析 | 第34-35页 |
| ·(Si/Ge)_n/quartz 薄膜的吸收性能 | 第35-36页 |
| ·Ge 含量较低的(Si/Ge)_n/quartz 多层薄膜的设计、制备 | 第36-37页 |
| ·(Si/Ge)_n/quartz 多层薄膜的性能分析 | 第37-43页 |
| ·(Si/Ge)_n/quartz 多层薄膜的结晶性能分析 | 第37-39页 |
| ·(Si/Ge)_n/quartz 薄膜的表界面分析 | 第39-42页 |
| ·薄膜的光吸收性能 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 (Si/Ge)_n/quartz 最佳退火工艺的探讨 | 第45-57页 |
| ·(Si_8/Ge_2)_5/quartz 多层薄膜的退火工艺 | 第45页 |
| ·退火时间和升温速率对(Si_8/Ge_2)_5/quartz 多层薄膜结构和性能的影响 | 第45-53页 |
| ·退火时间和升温速率对(Si_8/Ge_2)_5/quartz 薄膜结晶性能的影响 | 第45-49页 |
| ·退火时间和升温速率对(Si_8/Ge_2)_5/quartz 薄膜表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| ·退火时间和升温速率对(Si_8/Ge_2)_5/quartz 薄膜膜基结合性能的影响 | 第50-51页 |
| ·退火时间和升温速率对(Si_8/Ge_2)_5/quartz 薄膜光吸收性能的影响 | 第51-53页 |
| ·退火温度对(Si_8/Ge_2)_5/quartz 薄膜结构和性能的影响 | 第53-56页 |
| ·退火温度对(Si_8/Ge_2)_5/quartz 结晶性能的影响 | 第53-54页 |
| ·退火温度对(Si_8/Ge_2)_5/quartz 薄膜光吸收性能的影响 | 第54-55页 |
| ·退火温度对(Si_8/Ge_2)_5/quartz 膜基结合性能的影响 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 (Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 多层薄膜的制备与性能表征 | 第57-62页 |
| ·(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 多层薄膜的制备 | 第57-58页 |
| ·(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 薄膜的性能分析 | 第58-61页 |
| ·(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 薄膜的结晶性能 | 第58-59页 |
| ·(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 薄膜的表、界面形貌 | 第59-60页 |
| ·(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 薄膜的光吸收性能 | 第60-61页 |
| ·(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 薄膜的膜基结合性能 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 μc-(Si_8/Ge_2)_5/pc-(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 多层薄膜的制备与性能表征 | 第62-66页 |
| ·μc-(Si_8/Ge_2)_5/pc-(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 多层薄膜的设计与制备 | 第62页 |
| ·μc-(Si_8/Ge_2)_5/pc-(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 多层薄膜结构和性能分析 | 第62-65页 |
| ·μc-(Si_8/Ge_2)_5/pc-(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 多层薄膜的结晶性能 | 第62-63页 |
| ·μc-(Si_8/Ge_2)_5/pc-(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 多层薄膜的膜基结合性能分析 | 第63-64页 |
| ·μc-(Si_8/Ge_2)_5/poly-(Si_8/Ge_2)_5/SiGe/quartz 多层薄膜的吸收性能分析 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第七章 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 学习期间发表的学术论文 | 第74页 |
