| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 符号说明 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·半导体光催化的反应机理 | 第12-15页 |
| ·半导体光催化剂的改性 | 第15-23页 |
| ·元素掺杂半导体 | 第15-20页 |
| ·半导体表面光敏化 | 第20-21页 |
| ·半导体复合 | 第21-23页 |
| ·半导体光催化降解污染物的应用 | 第23-24页 |
| ·研究课题来源及本文主要工作简介 | 第24-25页 |
| 第二章 主要原材料和表征、评价手段 | 第25-30页 |
| ·实验所用主要的试剂 | 第25页 |
| ·实验所用主要的仪器设备 | 第25-26页 |
| ·光催化剂的表征 | 第26-27页 |
| ·粉末X射线衍射分析(XRD) | 第26页 |
| ·紫外-可见漫反射光谱分析(UV-Vis DRS) | 第26页 |
| ·扫描电子显微电镜(SEM) | 第26页 |
| ·程序升温还原(TPR) | 第26-27页 |
| ·BET北表面积测试表征 | 第27页 |
| ·可见分光光度计 | 第27页 |
| ·催化剂的光催化活性评价 | 第27-30页 |
| ·光催化反应实验装置及步骤 | 第27页 |
| ·模拟污染物甲基橙的理化性质 | 第27-28页 |
| ·样品的光催化活性评价 | 第28页 |
| ·甲基橙溶液的标准工作曲线 | 第28-30页 |
| 第三章 掺杂Ti的Bi_2O_3的制备、表征和光催化性能 | 第30-40页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·样品的制备方法 | 第30-31页 |
| ·制备条件对结果的影响 | 第31-38页 |
| ·不同煅烧时间对催化剂结构及光催化性能的影响 | 第31-32页 |
| ·不同煅烧温度对催化剂活性的影响 | 第32-36页 |
| ·不同掺Ti量对催化剂结构及活性的影响 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 不同Bi/Ti比复合半导体的制备、表征和光催化性能 | 第40-55页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·样品的制备 | 第40页 |
| ·复合半导体样品的表征及光催化性能评价 | 第40-54页 |
| ·复合半导体Bi1Ti9的表征及光催化性能评价 | 第40-43页 |
| ·复合半导体Bi3Ti7的表征及光催化性能评价 | 第43-45页 |
| ·复合半导体Bi5Ti5的表征及光催化性能评价 | 第45-47页 |
| ·复合半导体Bi7Ti3的表征及光催化性能评价 | 第47-50页 |
| ·复合半导体Bi9Ti1的表征及光催化性能评价 | 第50-52页 |
| ·不同Bi/Ti比复合半导体光催化活性比较及分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 纳米复合氧化物Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_2Ti_4O(11)的制备、表征和光催化性能 | 第55-65页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·样品的制备方法 | 第55-56页 |
| ·复合氧化物Bi_4Ti_3O_(12)的表征 | 第56-59页 |
| ·复合氧化物Bi_4Ti_3O_(12)的XRD分析 | 第56页 |
| ·复合氧化物Bi_4Ti_3O_(12)的SEM分析 | 第56-58页 |
| ·复合氧化物Bi_4Ti_3O_(12)的TPR分析 | 第58页 |
| ·复合氧化物Bi_4Ti_3O_(12)的光催化性能比较 | 第58-59页 |
| ·复合氧化物Bi_2Ti_4O_(11)制备条件的确定及其表征 | 第59-64页 |
| ·煅烧温度及Bi/Ti摩尔比的确定 | 第59-60页 |
| ·复合氧化物Bi_2Ti_4O_(11)的XRD分析 | 第60-61页 |
| ·复合氧化物Bi_2Ti_4O_(11)的SEM分析 | 第61-62页 |
| ·复合氧化物Bi_2Ti_4O_(11)的TPR分析 | 第62-63页 |
| ·复合氧化物Bi_2Ti_4O_(11)的光催化性能比较 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第73页 |
