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相变随机存储器存储机理及仿真技术研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-19页
   ·引言第9-10页
   ·CRAM 存储原理第10-14页
   ·CRAM 发展历史第14-17页
   ·课题研究的意义和内容第17-19页
2 存储元仿真物理模型第19-28页
   ·存储元结构第19-22页
   ·存储元仿真物理模型第22-27页
   ·本章小结第27-28页
3 存储元仿真方法及实现第28-43页
   ·有限元法简介第28-29页
   ·存储元仿真流程第29-31页
   ·网格划分及应用技术第31-37页
   ·有限元合成线性方程组的存储及求解第37-38页
   ·精细六面体单元相变过程实现及后续处理第38-42页
   ·存储元电阻的求解第42页
   ·本章小结第42-43页
4 存储元仿真结果及分析第43-63页
   ·存储元二维电热性能仿真第44-51页
   ·存储元三维电热性能及相转变过程仿真第51-59页
   ·存储元热稳定性能分析第59-61页
   ·存储元优缺点总结第61-63页
5 脉冲对存储元存储性能的影响分析第63-69页
   ·幅值变化的脉冲对存储性能的影响第63-64页
   ·宽度变化的脉冲对存储性能的影响第64-66页
   ·连续脉冲对存储性能的影响第66-69页
6 总结及展望第69-72页
   ·总结第69-70页
   ·展望第70-72页
致谢第72-73页
参考文献第73-78页
附录Ⅰ 攻读硕士学位期间发表的论文第78-79页
附录Ⅱ 三维电热传导微分方程四面体单元离散公式推导第79-86页

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