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半导体纳米材料的生长仿真与物理特性研究

摘要第1-8页
Abstract第8-14页
第一章 绪论第14-34页
   ·半导体纳米材料介绍第14-23页
     ·半导体纳米材料的研究背景第14页
     ·半导体纳米材料器件第14-18页
       ·单电子晶体管第15页
       ·量子点激光器和量子点探测器第15-17页
       ·基于量子点的量子光源第17页
       ·量子环器件第17-18页
     ·半导体纳米材料制备技术第18-19页
     ·半导体纳米材料生长研究热点第19-23页
       ·半导体量子点的定位生长第19-20页
       ·半导体量子点的形状和组分演化第20-22页
       ·半导体量子环的自组织生长第22页
       ·半导体异质结构位错过滤第22-23页
   ·半导体纳米材料原子仿真方法第23-24页
   ·本论文的结构安排第24-26页
 参考文献第26-34页
第二章 半导体纳米材料生长仿真方法第34-58页
   ·仿真方法介绍第34-39页
     ·分子动力学方法第35-36页
     ·蒙特卡罗方法第36-38页
     ·连续方程第38页
     ·相场方法第38-39页
   ·动力学蒙特卡罗模型第39-45页
     ·基本模型第40-42页
     ·附加扩散势垒第42-43页
     ·周期边界条件第43-44页
     ·动力学蒙特卡罗算法第44-45页
   ·动力学蒙特卡罗生长仿真过程中的应变计算方法第45-48页
     ·格林函数方法计算应变第45-48页
   ·基于生长方程的半导体量子点连续性生长仿真第48-53页
     ·半导体外延薄膜演化的方法介绍第49-51页
     ·基于参数优化的薄膜演化数值实现第51-53页
 参考文献第53-58页
第三章 动力学蒙特卡罗仿真自组织半导体纳米材料生长第58-73页
   ·生长参数对量子点生长的影响第58-64页
     ·温度对半导体量子点的影响第58-60页
     ·沉积速率对半导体量子点生长的影响第60-61页
     ·生长停顿对量子点生长的影响第61-62页
     ·原子结合能对量子点组分分布的影响第62-64页
   ·基于衬底工程的结构衬底的量子点定位生长研究第64-67页
   ·动力学蒙特卡罗方法仿真自组织量子环的生长第67-72页
     ·量子环的自组织生长模型第67-68页
     ·自组织量子环生长尺寸的设计和优化第68-72页
 参考文献第72-73页
第四章 半导体量子点生长的应变补偿研究第73-91页
   ·应变补偿理论第73-76页
     ·应变补偿物理机制第74-75页
     ·应变补偿模型第75-76页
   ·半导体纳米材料的应变计算方法第76-81页
     ·连续弹性理论第76-79页
     ·量子点和量子环应变计算的有限元实现第79-81页
   ·应变补偿方案设计第81-86页
   ·应变补偿层对量子点光学特性的影响第86-89页
 参考文献第89-91页
第五章 半导体量子点与超薄衬底的相互作用机制第91-106页
   ·异质外延薄膜衬底弯曲机制第91-93页
     ·Stoney公式第91-92页
     ·纳米异质外延系统中的Stoney公式修正第92-93页
   ·量子点体系几何优化的原子势函数方法第93-98页
     ·模型建立第93-94页
     ·原子势函数选择第94-96页
     ·原子势函数的原理和几何优化算法第96-98页
   ·半导体量子点与超薄衬底弯曲计算第98-104页
     ·InAs/GaAs系统应变薄膜与衬底的相互作用第98-100页
     ·InAs/GaAs系统量子点与衬底的相互作用第100-104页
 参考文献第104-106页
第六章 机械外力对于半导体量子点电子结构的调控第106-116页
   ·半导体量子点电子波函数计算方法第106-109页
     ·应变对带边的修正第107-108页
     ·压电效应对带边的修正第108-109页
   ·机械外力对量子点的电子结构的影响第109-115页
     ·机械外力对量子点中应变的影响第109-112页
     ·机械外力对量子点中电子结构的影响第112-115页
 参考文献第115-116页
第七章 总结与展望第116-119页
   ·论文总结第116-117页
   ·未来工作展望第117-119页
致谢第119-121页
攻读博士学位期间发表的论文第121-122页

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