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新型MIp~+-Al0.3Ga0.7As/p-n-n~+-GaAs结构太阳电池电子及辐照效应研究

中文摘要第1-7页
1 引言第7-29页
 1.1 太阳电池的发展及现状第7-26页
  1.1.1 太阳能第7-10页
  1.1.2 光伏发展规划第10-12页
  1.1.3 太阳电池发展现状及辐照研究第12-25页
  1.1.4 太阳电池需解决的问题第25-26页
 1.2 选题依据与工作创新第26-29页
  1.2.1 选题依据第26-27页
  1.2.2 工作创新第27-29页
2 太阳电池的基本原理和辐照理论第29-67页
 2.1 太阳电池的工作原理第29-56页
  2.1.1 太阳电池的工作原理第29-47页
  2.1.2 异质结太阳电池第47-53页
  2.1.3 高效太阳电池的设计第53-56页
 2.2 太阳电池的辐照理论第56-67页
  2.2.1 电池的辐照损伤第56-60页
  2.2.2 电池性能衰减机制第60-63页
  2.2.3 太阳电池的退火效应第63-67页
3 新型MIp~+-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/p-n-n~+-GaAs太阳电池的理论分析第67-110页
 3.1 材料研究第67-76页
  3.1.1 GaAs材料特性第67-71页
  3.1.2 Al_xGa_(1-x)As三元化合物第71-74页
  3.1.3 GaAs和Al_xGa_(1-x)As异质结构第74-76页
 3.2 MIp~+-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/p-n-n~+-GaAs太阳电池的能带分析第76-77页
 3.3 电池表面势垒的建立第77-85页
  3.3.1 表面势垒的计算第77-82页
  3.3.2 表面复合速度第82-85页
  3.3.3 结论第85页
 3.4 MIp~+-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/P-n-n~+-GaAs太阳电池的优化设计第85-108页
  3.4.1 单色光电流的理论计算第85-91页
  3.4.2 光谱响应及光电流计算第91-103页
  3.4.3 Ⅰ-Ⅴ特性的数值计算第103-104页
  3.4.4 计算结果与讨论第104-108页
 本章小结第108-110页
4 器件研究第110-124页
 4.1 MIp~+-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/p-n-n~+-GaAs太阳电池的制备第110-119页
  4.1.1 液相外延技术第110-113页
  4.1.2 MIp~+-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/p-n-n~+-GaAs太阳电池的制备第113-117页
  4.1.3 分析测试第117-118页
  4.1.4 结论第118-119页
 4.2 MIp~+-A1GaAs/p-n-n~+-GaAs太阳电池的辐照效应研究第119-123页
  4.2.1 MIp~+-A1GaAs/p-n-n~+-GaAs太阳电池的辐照研究第119页
  4.2.2 分析测试第119-122页
  4.2.3 结论第122-123页
 本章小结第123-124页
5 GaAs薄膜的制备与性能研究第124-147页
 5.1 热壁外延技术第124-127页
  5.1.1 概论第124页
  5.1.2 基本原理第124-127页
 5.2 GaAs薄膜的制备第127-130页
  5.2.1 衬底制备第127-129页
  5.2.2 生长源准备第129页
  5.2.3 热壁外延生长第129-130页
  5.2.4 样品测试第130页
 5.3 结果和讨论第130-145页
  5.3.1 薄膜材料的组分第130-131页
  5.3.2 结构特征分析与讨论第131-140页
  5.3.3 电学性质测试分析与讨论第140-142页
  5.3.4 光学特性测试分析与讨论第142-144页
  5.3.5 小结第144-145页
 本章小结第145-147页
结束语第147-149页
参考文献第149-160页
致谢第160-161页
攻读博士学位期间发表的论文第161页

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