中文摘要 | 第1-7页 |
1 引言 | 第7-29页 |
1.1 太阳电池的发展及现状 | 第7-26页 |
1.1.1 太阳能 | 第7-10页 |
1.1.2 光伏发展规划 | 第10-12页 |
1.1.3 太阳电池发展现状及辐照研究 | 第12-25页 |
1.1.4 太阳电池需解决的问题 | 第25-26页 |
1.2 选题依据与工作创新 | 第26-29页 |
1.2.1 选题依据 | 第26-27页 |
1.2.2 工作创新 | 第27-29页 |
2 太阳电池的基本原理和辐照理论 | 第29-67页 |
2.1 太阳电池的工作原理 | 第29-56页 |
2.1.1 太阳电池的工作原理 | 第29-47页 |
2.1.2 异质结太阳电池 | 第47-53页 |
2.1.3 高效太阳电池的设计 | 第53-56页 |
2.2 太阳电池的辐照理论 | 第56-67页 |
2.2.1 电池的辐照损伤 | 第56-60页 |
2.2.2 电池性能衰减机制 | 第60-63页 |
2.2.3 太阳电池的退火效应 | 第63-67页 |
3 新型MIp~+-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/p-n-n~+-GaAs太阳电池的理论分析 | 第67-110页 |
3.1 材料研究 | 第67-76页 |
3.1.1 GaAs材料特性 | 第67-71页 |
3.1.2 Al_xGa_(1-x)As三元化合物 | 第71-74页 |
3.1.3 GaAs和Al_xGa_(1-x)As异质结构 | 第74-76页 |
3.2 MIp~+-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/p-n-n~+-GaAs太阳电池的能带分析 | 第76-77页 |
3.3 电池表面势垒的建立 | 第77-85页 |
3.3.1 表面势垒的计算 | 第77-82页 |
3.3.2 表面复合速度 | 第82-85页 |
3.3.3 结论 | 第85页 |
3.4 MIp~+-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/P-n-n~+-GaAs太阳电池的优化设计 | 第85-108页 |
3.4.1 单色光电流的理论计算 | 第85-91页 |
3.4.2 光谱响应及光电流计算 | 第91-103页 |
3.4.3 Ⅰ-Ⅴ特性的数值计算 | 第103-104页 |
3.4.4 计算结果与讨论 | 第104-108页 |
本章小结 | 第108-110页 |
4 器件研究 | 第110-124页 |
4.1 MIp~+-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/p-n-n~+-GaAs太阳电池的制备 | 第110-119页 |
4.1.1 液相外延技术 | 第110-113页 |
4.1.2 MIp~+-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/p-n-n~+-GaAs太阳电池的制备 | 第113-117页 |
4.1.3 分析测试 | 第117-118页 |
4.1.4 结论 | 第118-119页 |
4.2 MIp~+-A1GaAs/p-n-n~+-GaAs太阳电池的辐照效应研究 | 第119-123页 |
4.2.1 MIp~+-A1GaAs/p-n-n~+-GaAs太阳电池的辐照研究 | 第119页 |
4.2.2 分析测试 | 第119-122页 |
4.2.3 结论 | 第122-123页 |
本章小结 | 第123-124页 |
5 GaAs薄膜的制备与性能研究 | 第124-147页 |
5.1 热壁外延技术 | 第124-127页 |
5.1.1 概论 | 第124页 |
5.1.2 基本原理 | 第124-127页 |
5.2 GaAs薄膜的制备 | 第127-130页 |
5.2.1 衬底制备 | 第127-129页 |
5.2.2 生长源准备 | 第129页 |
5.2.3 热壁外延生长 | 第129-130页 |
5.2.4 样品测试 | 第130页 |
5.3 结果和讨论 | 第130-145页 |
5.3.1 薄膜材料的组分 | 第130-131页 |
5.3.2 结构特征分析与讨论 | 第131-140页 |
5.3.3 电学性质测试分析与讨论 | 第140-142页 |
5.3.4 光学特性测试分析与讨论 | 第142-144页 |
5.3.5 小结 | 第144-145页 |
本章小结 | 第145-147页 |
结束语 | 第147-149页 |
参考文献 | 第149-160页 |
致谢 | 第160-161页 |
攻读博士学位期间发表的论文 | 第161页 |