| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 文献综述 | 第8-29页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体研究背景及意义 | 第8-11页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体用作衬底 | 第8-9页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体用作X射线探测器及γ射线探测器 | 第9-11页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长方法 | 第11-21页 |
| ·体晶生长方法 | 第11-17页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长方法 | 第17页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长中存在的问题 | 第17-19页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长中的控制技术 | 第19-21页 |
| ·退火对晶体质量的影响 | 第21-25页 |
| ·退火对位错密度的影响 | 第22-23页 |
| ·退火对红外透过率的影响 | 第23-24页 |
| ·退火对晶片电阻率的影响 | 第24-25页 |
| ·杂质对晶体质量的影响 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-29页 |
| 第2章 实验研究方法 | 第29-33页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的结构和物性参数 | 第29-30页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的晶格常数 | 第29页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe晶体及石英坩埚的物性参数 | 第29-30页 |
| ·实验装置 | 第30-32页 |
| ·晶体生长的实验装置 | 第30-31页 |
| ·晶片退火的实验装置 | 第31-32页 |
| ·晶体的处理与分析方法 | 第32-33页 |
| ·晶体的加工与处理 | 第32页 |
| ·分析手段 | 第32-33页 |
| 第3章 晶体生长 | 第33-44页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe原材料的准备及合成 | 第33-35页 |
| ·晶体生长过程控制 | 第35-36页 |
| ·晶体生长参数选择 | 第36-38页 |
| ·Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te晶体生长温度场的选择 | 第36页 |
| ·Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体生长温度场的选择 | 第36-37页 |
| ·Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te和Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体控温参数的选择 | 第37-38页 |
| ·Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te和Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体生长结果 | 第38-41页 |
| ·Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te晶体生长结果 | 第38-39页 |
| ·Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体生长结果 | 第39-41页 |
| ·Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te和Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶锭的切片 | 第41页 |
| ·Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te晶锭的切片 | 第41页 |
| ·Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶锭的切片 | 第41页 |
| ·生长态的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片 | 第41-43页 |
| ·磨抛前的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片 | 第41-42页 |
| ·磨抛后的Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶片 | 第42-43页 |
| ·生长态晶片的性能 | 第43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第4章 退火实验 | 第44-50页 |
| ·三种退火工艺 | 第44-45页 |
| ·实验所用晶片 | 第45页 |
| ·Cd压的控制及退火源的选择 | 第45-47页 |
| ·控制原理 | 第45-46页 |
| ·退火源的选择 | 第46-47页 |
| ·降温过程中的相变与冷却方式的选择 | 第47-50页 |
| 第5章 退火对晶体性能的影响 | 第50-73页 |
| ·退火对晶片中杂质的影响 | 第50-53页 |
| ·生长态晶片的杂质含量 | 第51页 |
| ·退火对晶片杂质含量的影响 | 第51-53页 |
| ·分析 | 第53页 |
| ·退火对晶片红外透过率的影响 | 第53-62页 |
| ·生长态晶片的红外透过率 | 第54-56页 |
| ·退火对晶片红外透过率的影响 | 第56-61页 |
| ·分析 | 第61-62页 |
| ·退火对晶片成分分布的影响 | 第62-68页 |
| ·生长态晶片的成分分布 | 第62-64页 |
| ·退火对晶片成分分布的影响 | 第64-68页 |
| ·分析 | 第68页 |
| ·退火对晶片电阻率的影响 | 第68-70页 |
| ·生长态晶片的电阻率 | 第69页 |
| ·退火对晶片电阻率的影响 | 第69-70页 |
| ·分析 | 第70页 |
| ·小结 | 第70-72页 |
| ·参考文献 | 第72-73页 |
| 主要结论 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
