| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·磁性薄膜材料的简介 | 第10-12页 |
| ·磁性薄膜的分类 | 第10-11页 |
| ·磁性薄膜材料的发展前景 | 第11-12页 |
| ·Ising模型的发展及其应用 | 第12页 |
| ·选题背景及研究内容 | 第12-14页 |
| ·选题背景 | 第12-13页 |
| ·研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 蜂窝晶格多层膜材料的物理性质 | 第14-47页 |
| ·蜂窝晶格多层膜的相关有效场理论 | 第14-21页 |
| ·哈密顿量 | 第14-15页 |
| ·相关有效场理论在多层膜材料上的应用 | 第15-21页 |
| ·磁矩和磁化率 | 第21-31页 |
| ·磁矩和磁化率的公式 | 第21-23页 |
| ·薄膜的厚度对磁矩的影响 | 第23-25页 |
| ·表面交换作用和表面横场对磁矩和磁化率的影响 | 第25-31页 |
| ·相变温度和补偿温度 | 第31-41页 |
| ·相变温度和补偿温度公式 | 第31-33页 |
| ·薄膜的厚度对相变温度的影响 | 第33-34页 |
| ·表面层内交换作用J_s 对T_c 和T_(comp) 的影响 | 第34-38页 |
| ·表面层间交换作用及表面横场对T_c 和T_(comp) 的影响 | 第38-41页 |
| ·内能和比热 | 第41-47页 |
| ·内能及比热公式 | 第41-42页 |
| ·薄膜的厚度对内能和比热的影响 | 第42-44页 |
| ·表面交换作用和表面横场对内能和比热的影响 | 第44-47页 |
| 第三章 正方晶格多层膜材料的物理性质 | 第47-65页 |
| ·正方晶格多层膜的相关有效场理论 | 第47-54页 |
| ·哈密顿量 | 第47-48页 |
| ·磁矩公式 | 第48-50页 |
| ·晶格结构对磁矩的影响 | 第50-51页 |
| ·表面交换作用和表面横场对磁矩的影响 | 第51-54页 |
| ·相变温度和补偿温度 | 第54-61页 |
| ·薄膜厚度对相变温度的影响 | 第54-55页 |
| ·表面交换作用和表面横场对T_c 和T_(comp) 的影响 | 第55-61页 |
| ·内能和比热 | 第61-65页 |
| ·内能和比热公式 | 第61页 |
| ·表面交换作用和表面横场对内能和比热的影响 | 第61-65页 |
| 第四章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 在学研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
