反应烧结Si3N4透波材料的研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 1 绪论 | 第12-33页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·氮化硅陶瓷材料概述 | 第13-22页 |
| ·氮化硅陶瓷的晶体结构 | 第13-15页 |
| ·氮化硅陶瓷的性能 | 第15-18页 |
| ·氮化硅陶瓷的应用 | 第18页 |
| ·氮化硅陶瓷的制备工艺 | 第18-22页 |
| ·透波材料的研究现状 | 第22-26页 |
| ·有机透波材料的研究现状 | 第22-23页 |
| ·无机透波材料的研究现状 | 第23-26页 |
| ·透波材料的发展展望 | 第26页 |
| ·氮化硅基陶瓷天线罩材料的研究与应用 | 第26-29页 |
| ·国外研究现状 | 第27-28页 |
| ·国内研究现状 | 第28-29页 |
| ·凝胶注模成型 | 第29-31页 |
| ·凝胶注模成型技术简介 | 第29-30页 |
| ·Si_3N_4/Si凝胶注模成型研究现状 | 第30-31页 |
| ·论文的研究内容与意义 | 第31-33页 |
| ·研究目的、内容和意义 | 第31-32页 |
| ·创新点 | 第32-33页 |
| 2 实验方法 | 第33-43页 |
| ·实验原料 | 第33-36页 |
| ·硅粉 | 第33-34页 |
| ·氮化硅粉 | 第34-35页 |
| ·其它实验用品 | 第35-36页 |
| ·高纯氮气 | 第36页 |
| ·实验仪器与设备 | 第36-37页 |
| ·实验过程 | 第37-40页 |
| ·技术关键与工艺路线 | 第37页 |
| ·实验步骤 | 第37-39页 |
| ·组分设计 | 第39页 |
| ·烧结工艺设计 | 第39页 |
| ·烧结试样标号 | 第39-40页 |
| ·性能测试方法 | 第40-43页 |
| ·密度及气孔率测试 | 第40页 |
| ·弯曲强度测试 | 第40-41页 |
| ·介电性能测试 | 第41-42页 |
| ·XRD分析 | 第42页 |
| ·SEM分析 | 第42-43页 |
| 3 氮化硅透波材料的制备 | 第43-62页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·Si_3N_4/Si坯体的制备工艺研究 | 第43-53页 |
| ·凝胶注模成型原理 | 第43-45页 |
| ·Si_3N_4/Si凝胶注模成型实验 | 第45-49页 |
| ·Si_3N_4/Si坯体SEM分析 | 第49-53页 |
| ·Si_3N_4/Si坯体干燥与排胶 | 第53-54页 |
| ·干燥 | 第53页 |
| ·排胶 | 第53-54页 |
| ·Si_3N_4透波材料的烧结工艺研究 | 第54-60页 |
| ·Si_3N_4材料的反应烧结理论 | 第54-55页 |
| ·Si_3N_4透波材料烧结工艺 | 第55-56页 |
| ·XRD物相分析 | 第56-59页 |
| ·烧结助剂的影响机理 | 第59页 |
| ·氮化率的影响因素讨论 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 4 性能测试结果及分析 | 第62-85页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·密度测试结果及分析 | 第62-65页 |
| ·材料密度随烧结温度的变化 | 第62页 |
| ·材料密度随组分的变化 | 第62-65页 |
| ·气孔率测试结果及分析 | 第65-67页 |
| ·材料表面气孔率随烧结温度的变化 | 第66页 |
| ·表面气孔率随组分的变化 | 第66-67页 |
| ·弯曲强度测试结果及分析 | 第67-69页 |
| ·材料弯曲强度随烧结温度的变化 | 第68-69页 |
| ·材料弯曲强度随组分的变化 | 第69页 |
| ·介电性能测试结果及分析 | 第69-73页 |
| ·材料介电性能随烧结温度的变化 | 第70-72页 |
| ·材料介电性能随组分的变化 | 第72-73页 |
| ·微观分析 | 第73-84页 |
| ·Group-I烧结试样SEM分析 | 第73-75页 |
| ·Group-III烧结试样SEM分析 | 第75-77页 |
| ·Group-V烧结试样SEM分析 | 第77-79页 |
| ·1450℃各组分烧结试样 SEM分析 | 第79-81页 |
| ·1550℃各组分烧结试样 SEM分析 | 第81-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 5 结论 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 作者简历 | 第90-92页 |
| 学位论文数据集 | 第92页 |
