TiN薄膜的磁控溅射法制备及其光学性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·氮化钛薄膜的性质与应用 | 第11-14页 |
| ·TiN薄膜的基本物理性质 | 第11-13页 |
| ·TiN薄膜的电学和光学性质 | 第13-14页 |
| ·TiN薄膜的应用 | 第14页 |
| ·TiN薄膜的发展趋势 | 第14页 |
| ·氮化钛薄膜的磁控溅射法制备 | 第14-21页 |
| ·磁控溅射技术介绍 | 第15-20页 |
| ·TiN薄膜的磁控溅射法沉积原理 | 第20-21页 |
| ·镀膜玻璃的发展与分类 | 第21-26页 |
| ·节能镀膜玻璃的发展状况 | 第22-24页 |
| ·镀膜玻璃的分类 | 第24-25页 |
| ·TiN薄膜适用于镀膜玻璃的性质 | 第25-26页 |
| ·课题的提出 | 第26-28页 |
| 第二章 实验原理与方法 | 第28-36页 |
| ·实验研究路线 | 第28-29页 |
| ·试验设备 | 第29页 |
| ·实验材料 | 第29-30页 |
| ·TiN薄膜沉积工艺 | 第30-31页 |
| ·薄膜的微观分析 | 第31-32页 |
| ·薄膜性能研究 | 第32-36页 |
| ·膜厚的测量及溅射速率的计算 | 第32-33页 |
| ·堆积因子(Packing Factor)计算 | 第33页 |
| ·薄膜透光性能的检测 | 第33页 |
| ·薄膜方块电阻的检测及红外反射率的计算 | 第33-36页 |
| 第三章 基本镀膜工艺探讨 | 第36-60页 |
| ·基准沉积工艺参数的确定 | 第36-40页 |
| ·基准工艺参数下沉积TiN薄膜的结构分析 | 第36-38页 |
| ·基准参数沉积TiN薄膜的形貌 | 第38-39页 |
| ·薄膜的生长速率与薄膜堆积因子 | 第39-40页 |
| ·TiN薄膜结构与形貌的影响因素 | 第40-58页 |
| ·氩氮气体流量比 | 第40-44页 |
| ·总压 | 第44-46页 |
| ·功率 | 第46-48页 |
| ·温度 | 第48-51页 |
| ·镀膜时间 | 第51-52页 |
| ·偏压 | 第52-55页 |
| ·靶材烧蚀坑 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 透光性氮化钛薄膜的制备 | 第60-70页 |
| ·镀膜时间对氮化钛薄膜透光性的影响 | 第60-62页 |
| ·氩氮流量比对氮化钛薄膜透光性的影响 | 第62-64页 |
| ·基底温度对氮化钛薄膜透光性的影响 | 第64-66页 |
| ·偏压对氮化钛薄膜透光性的影响 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 中远红外光反射性氮化钛薄膜的制备 | 第70-80页 |
| ·氩氮流量比对氮化钛薄膜方块电阻与红外射率的影响 | 第70-72页 |
| ·氩氮流量比对氮化钛薄膜方块电阻的影响 | 第70-71页 |
| ·氩氮比对氮化钛薄膜中远红外反射率的影响 | 第71-72页 |
| ·镀膜时间对氮化钛薄膜方块电阻与红外反射率的影响 | 第72-74页 |
| ·不同镀膜时间下氮化钛薄膜方块电阻 | 第72-73页 |
| ·不同镀膜时间下的氮化钛薄膜中远红外反射率 | 第73-74页 |
| ·温度对TiN方块电阻和中远红外反射率的影响 | 第74-76页 |
| ·温度对氮化钛薄膜方块电阻的影响 | 第74-75页 |
| ·温度变化对氮化钛薄膜中远红外反射率的影响 | 第75-76页 |
| ·偏压对于薄膜方块电阻及中远红外反射率的影响 | 第76-78页 |
| ·偏压对薄膜方块电阻的影响 | 第76-77页 |
| ·偏压对薄膜中远红外反射率的影响 | 第77-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第六章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-86页 |
| 致谢 | 第86-88页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第88-90页 |
| 导师及作者简介 | 第90-91页 |
| 硕士研究生学位论文答辩委员会决议书 | 第91-92页 |
