摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
目录 | 第5-8页 |
第一章 绪论 | 第8-13页 |
·引言 | 第8页 |
·论文选题背景及意义 | 第8-11页 |
·国内外研究现状 | 第8-11页 |
·选题意义 | 第11页 |
·论文的研究内容 | 第11-12页 |
·论文的组织结构 | 第12-13页 |
第二章 真空中脉冲耐压特性的基础理论研究 | 第13-25页 |
·真空中绝缘结构脉冲耐压特性的研究现状 | 第13页 |
·影响沿面闪络的主要因素 | 第13-19页 |
·电压波形的影响 | 第14页 |
·真空度的影响 | 第14-15页 |
·绝缘子材料 | 第15页 |
·绝缘子外形及表面特性的影响 | 第15-17页 |
·电极材料及其几何形状 | 第17-18页 |
·预放电的影响 | 第18-19页 |
·磁场作用 | 第19页 |
·沿面闪络研究的实验模式 | 第19-20页 |
·真空中固体沿面闪络的机理模型 | 第20-24页 |
·二次电子发射雪崩(SEEA) | 第21-22页 |
·电子引发极化松弛(ETPR) | 第22-23页 |
·基于陷阱的沿面闪络发展机制 | 第23-24页 |
本章小结 | 第24-25页 |
第三章 实验装置及实验方法 | 第25-43页 |
·试验装置 | 第25-30页 |
·真空系统 | 第26页 |
·单次脉冲高电压电源及输出电压幅度范围扩展 | 第26-29页 |
·绝缘性能实验装置 | 第29-30页 |
·高压脉冲电压电流信号的测量方法 | 第30-36页 |
·电流的测量 | 第30-31页 |
·测量球隙 | 第31页 |
·分压器 | 第31-35页 |
·单次脉冲高压电源的标定 | 第35-36页 |
·耐压表征技术研究 | 第36-42页 |
·耐压表征技术的重要性和挑战性 | 第36-37页 |
·耐压表征方法的确定 | 第37-42页 |
本章小结 | 第42-43页 |
第四章 绝缘结构电场仿真与设计 | 第43-60页 |
·电场仿真概述 | 第43-44页 |
·仿真软件的选择 | 第43页 |
·仿真模型的建立 | 第43-44页 |
·绝缘子结构的电场仿真及绝缘结构设计 | 第44-55页 |
·绝缘子直径对电场分布的影响 | 第44-46页 |
·绝缘子高度对电场分布的的影响 | 第46-49页 |
·表面电荷对电场分布的影响 | 第49-50页 |
·锥形绝缘子的电场仿真分析 | 第50-53页 |
·实验绝缘子结构设计 | 第53-55页 |
·电极结构的影响及实验样品设计 | 第55-59页 |
·电极与绝缘子的接触形式对沿面耐压性能的影响 | 第56页 |
·不同电极结构阴极三结合处的电场场强仿真计算 | 第56-57页 |
·实验电极结构的设计 | 第57-59页 |
本章小结 | 第59-60页 |
第五章 真空中绝缘结构脉冲耐压特性实验研究 | 第60-73页 |
·绝缘子的耐压研究 | 第60-65页 |
·95Al_2O_3陶瓷和BK-94陶瓷绝缘子的耐压对比分析 | 第60-61页 |
·锥形绝缘子的耐压测试 | 第61-62页 |
·高温处理后BK-94绝缘子耐压性能的试验分析 | 第62-63页 |
·不同结构绝缘子的耐压测试分析研究 | 第63-65页 |
·电极结构的耐压研究 | 第65-69页 |
·真空度的影响 | 第69-72页 |
·测试装置中真空度对耐压的影响 | 第69-70页 |
·密封真空器件中氘气压对耐压的影响 | 第70-72页 |
本章小结 | 第72-73页 |
第六章 单次微秒级脉冲下氧化铝陶瓷沿面闪络机理探索 | 第73-83页 |
·两种经典假说的对比分析 | 第73-74页 |
·闪络过程中两个重要的参数 | 第74-77页 |
·一次电子发射系数 | 第74-75页 |
·二次电子发射 | 第75-77页 |
·陶瓷样品的二次电子发射系数 | 第77-79页 |
·氧化铝陶瓷表面分析 | 第79页 |
·绝缘测试实验中的波形分析 | 第79-81页 |
·光谱分析 | 第81-82页 |
本章小结 | 第82-83页 |
第七章 结论与展望 | 第83-85页 |
·论文的结论 | 第83-84页 |
·研究展望 | 第84页 |
·结语 | 第84-85页 |
致谢 | 第85-86页 |
参考文献 | 第86-89页 |
附录A 不同真空度下样品的可靠耐压值 | 第89-90页 |
附录B 硕士研究生在读期间发表论文情况 | 第90页 |