| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-30页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·薄膜材料的制备方法 | 第12-14页 |
| ·真空蒸发和分子束外延 | 第13页 |
| ·溅射和反应溅射 | 第13-14页 |
| ·化学气相沉积和金属有机化学气相沉积 | 第14页 |
| ·薄膜材料的研究方法 | 第14-18页 |
| ·X 射线衍射方法(XRD) | 第15-16页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第16页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第16-17页 |
| ·能量散射X 射线光谱(EDX) | 第17-18页 |
| ·薄膜生长理论及其研究进展 | 第18-23页 |
| ·纳米固体材料的性能和研究进展 | 第23-28页 |
| ·紫外－可见光吸收 | 第23-24页 |
| ·紫外到可见光的发射谱 | 第24-28页 |
| ·本文的工作和目的 | 第28-30页 |
| 2 实验方法和过程 | 第30-32页 |
| 3 实验结果和讨论 | 第32-65页 |
| ·不含 Au 缓冲层的 In 薄膜的生长研究 | 第32-42页 |
| ·含有 Au 缓冲层的 In 纳米岛薄膜生长研究 | 第42-49页 |
| ·低维合金(AU_3IN)表面上铟纳米岛的形成机理研究 | 第49-53页 |
| ·磁控溅射各实验参数对铟纳米岛阵列的影响研究 | 第53-60页 |
| ·铟氧化物(IN_2O_3)纳米岛的合成 | 第60-63页 |
| ·IN_2O_3 纳米结构的光致发光研究 | 第63-65页 |
| 4 结论 | 第65-67页 |
| 5 铟氧化物(IN_2O_3)纳米岛阵列的场发射展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 附录 硕士期间完成、发表的论文目录 | 第72页 |