微波电子回旋共振法沉积的非晶碳化硅薄膜结构和性能研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·低介电常数（低 K）材料的研究背景 | 第7-8页 |
| ·铜/低 K 阻挡材料的研究现状 | 第8-11页 |
| ·本文的研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 实验 | 第12-17页 |
| ·ECR 等离子体的基本原理 | 第12-14页 |
| ·实验装置 | 第14-15页 |
| ·基片的清洗 | 第15页 |
| ·薄膜的沉积 | 第15-16页 |
| ·MIS 器件的制作 | 第16-17页 |
| 第三章 薄膜的表征 | 第17-25页 |
| ·膜厚测量 | 第17-18页 |
| ·发射光谱(OES) | 第18-21页 |
| ·傅立叶变换红外光谱分析（FTIR） | 第21-22页 |
| ·紫外可见光谱分析（UV） | 第22-24页 |
| ·薄膜的介电和电学性能的表征 | 第24-25页 |
| 第四章 薄膜的生长及其电学性能的研究 | 第25-35页 |
| ·薄膜的生长 | 第25-32页 |
| ·薄膜的生长速率及分析 | 第25页 |
| ·前驱等离子体的发射光谱及讨论 | 第25-27页 |
| ·薄膜的红外透射光谱及其结构和成分分析 | 第27-31页 |
| ·薄膜的紫外可见光谱 | 第31-32页 |
| ·小结 | 第32页 |
| ·薄膜的介电与电学性质 | 第32-35页 |
| ·薄膜的介电性能 | 第32-33页 |
| ·薄膜的漏电流 | 第33-35页 |
| 第五章 结语 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第38-39页 |
| 致谢 | 第39-41页 |
| 详细摘要 | 第41-44页 |
