ULSI铜互连层CMP抛光液研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·研究背景 | 第9-12页 |
| ·CMP技术简介 | 第9-10页 |
| ·ULSI芯片互连技术简介 | 第10-12页 |
| ·ULSI铜互连层CMP抛光液的研究现状 | 第12-14页 |
| ·课题来源、学术思想及预期达到的成果 | 第14页 |
| ·主要研究内容 | 第14-16页 |
| 2 抛光液配制方案设计 | 第16-27页 |
| ·铜CMP材料去除机理分析及影响抛光质量的因素 | 第16-20页 |
| ·铜CMP材料去除机理分析 | 第16-18页 |
| ·影响抛光质量的因素分析 | 第18-20页 |
| ·配制方法规划 | 第20-22页 |
| ·成分选择 | 第20-22页 |
| ·性能优化 | 第22页 |
| ·抛光液性能评价指标 | 第22-23页 |
| ·材料去处率 | 第22页 |
| ·表面粗糙度 | 第22-23页 |
| ·分散性 | 第23页 |
| ·试验设备与材料 | 第23-27页 |
| ·试验设备 | 第23-26页 |
| ·试验材料 | 第26-27页 |
| 3 抛光液主要成分的选择 | 第27-39页 |
| ·磨料的选择 | 第27-30页 |
| ·试验条件及安排 | 第27-28页 |
| ·试验结果与分析 | 第28-30页 |
| ·氧化剂的选择 | 第30-33页 |
| ·氧化剂在铜CMP抛光液中的作用 | 第30-31页 |
| ·试验条件与安排 | 第31-32页 |
| ·试验结果与分析 | 第32-33页 |
| ·有机碱的选择 | 第33-39页 |
| ·有机碱在铜CMP抛光液中的作用 | 第33-34页 |
| ·试验条件与安排 | 第34-35页 |
| ·试验结果与分析 | 第35-39页 |
| 4 抛光液添加剂的选择 | 第39-49页 |
| ·分散剂的选择 | 第39-42页 |
| ·试验条件与安排 | 第39-40页 |
| ·试验结果与分析 | 第40-42页 |
| ·活性剂的选择 | 第42-49页 |
| ·表面活性剂特性概述 | 第42-43页 |
| ·表面活性剂在CMP抛光液中的作用 | 第43页 |
| ·试验条件与安排 | 第43-44页 |
| ·试验结果与分析 | 第44-49页 |
| 5 抛光液性能优化 | 第49-59页 |
| ·组分复配次序研究 | 第49-50页 |
| ·工艺参数的优化研究 | 第50-52页 |
| ·试验条件与安排 | 第50页 |
| ·试验结果与分析 | 第50-52页 |
| ·组分优化研究 | 第52-59页 |
| ·试验方案选择 | 第52-53页 |
| ·正交试验安排 | 第53-55页 |
| ·试验结果分析与验证 | 第55-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附录A 因素与效应曲线图 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
