| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| §1-1 全球能源形势 | 第10-11页 |
| §1-2 太阳电池的研究和发展现状 | 第11-17页 |
| 1-2-1 太阳电池的历史 | 第11-12页 |
| 1-2-2 光伏市场存在的问题 | 第12页 |
| 1-2-3 太阳电池发展现状 | 第12-16页 |
| 1-2-4 光伏市场展望 | 第16-17页 |
| §1-3 论文研究内容 | 第17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 非晶硅材料与太阳电池基础 | 第19-30页 |
| §2-1 非晶硅材料基础 | 第19-21页 |
| 2-1-1 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的发展概况 | 第19页 |
| 2-1-2 稳定优质的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的制备工艺 | 第19-21页 |
| §2-2 太阳电池的工作原理 | 第21-23页 |
| 2-2-1 光电转换过程 | 第21页 |
| 2-2-2 光生伏特效应 | 第21-22页 |
| 2-2-3 P-N 结的形成 | 第22-23页 |
| §2-3 太阳电池η影响因素 | 第23-28页 |
| 2-3-1 电池的伏安特性 | 第23-25页 |
| 2-3-2 影响电池效率的因素 | 第25页 |
| 2-3-3 半导体中的复合过程 | 第25-28页 |
| 参考文献 | 第28-30页 |
| 第三章 非晶硅薄膜材料的沉积与测试原理 | 第30-41页 |
| §3-1 非晶硅薄膜的沉积原理 | 第30-32页 |
| §3-2 非晶硅薄膜的测试原理 | 第32-39页 |
| 3-2-1 喇曼散射（Raman） | 第32-33页 |
| 3-2-2 傅立叶变换红外吸收谱（FTIR） | 第33-34页 |
| 3-2-3 光、暗电导率以及电导激活能 | 第34-36页 |
| 3-2-4 光热偏转谱（PDS） | 第36-37页 |
| 3-2-5 透射谱 | 第37-39页 |
| §3-3 本章小结 | 第39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第四章 RF-PECVD 制备氢化非晶硅薄膜 | 第41-51页 |
| §4-1 引言 | 第41页 |
| §4-2 实验设备 | 第41-43页 |
| 4-2-1 采用喷淋式（Shower）电极 | 第41-42页 |
| 4-2-2 等离子体区的屏蔽 | 第42-43页 |
| §4-3 实验 | 第43页 |
| §4-4 结果与讨论 | 第43-49页 |
| 4-4-1 气体总流量的影响 | 第43页 |
| 4-4-2 电极间距的影响 | 第43-44页 |
| 4-4-3 氢稀释度的影响 | 第44-48页 |
| 4-4-4 沉积气压的影响 | 第48-49页 |
| §4-5 本章小结 | 第49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第五章 异质结太阳电池计算机模拟及实验 | 第51-63页 |
| §5-1 引言 | 第51-52页 |
| §5-2 非晶硅(a-Si:H )/晶体硅(c-Si) 异质结太阳电池的数值模拟分析 | 第52-57页 |
| 5-2-1 本征层厚度对光伏性能的影响 | 第54-55页 |
| 5-2-2 发射层对光伏性能的影响 | 第55-57页 |
| 5-2-3 界面态对光伏性能的影响 | 第57页 |
| §5-3 实验 | 第57-58页 |
| §5-4 结果与讨论 | 第58-60页 |
| 5-4-1 p 层厚度对异质结太阳电池性能的影响 | 第58-59页 |
| 5-4-2 射频功率对异质结太阳电池性能的影响 | 第59页 |
| 5-4-3 掺杂对异质结太阳电池性能的影响 | 第59-60页 |
| 5-4-4 氢稀释度对异质结太阳电池性能的影响 | 第60页 |
| §5-5 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第65页 |
