氧化钒薄膜的制备及其光电性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·氧化钒的晶体结构和性质 | 第10-13页 |
| ·氧化钒的相变特性 | 第13-16页 |
| ·VO_2 薄膜的相变特性 | 第13-14页 |
| ·关于VO_2 薄膜相变的理论 | 第14-15页 |
| ·V_20_5 的性质及相变特性 | 第15-16页 |
| ·氧化钒薄膜的应用 | 第16-17页 |
| ·国内外磁控溅射制备氧化钒薄膜的研究动态 | 第17-19页 |
| ·课题研究的目的和意义 | 第19-21页 |
| 第二章 氧化钒薄膜的制备及掺杂原理 | 第21-32页 |
| ·氧化钒薄膜的制备方法 | 第21-24页 |
| ·氧化钒薄膜的掺杂 | 第24-26页 |
| ·掺杂理论 | 第24-25页 |
| ·掺杂方法 | 第25-26页 |
| ·薄膜的分析测试方法 | 第26-32页 |
| ·电学性能分析 | 第26-27页 |
| ·表面形貌分析 | 第27-29页 |
| ·结晶组份分析 | 第29-30页 |
| ·光学性能分析 | 第30-32页 |
| 第三章 磁控溅射制备氧化钒薄膜 | 第32-52页 |
| ·磁控溅射原理 | 第32-33页 |
| ·高氧溅射制备V_20_5 薄膜 | 第33-35页 |
| ·实验内容 | 第33页 |
| ·溅射装置 | 第33-34页 |
| ·基片的清洗 | 第34-35页 |
| ·薄膜的工艺流程 | 第35页 |
| ·高氧条件下制备氧化钒薄膜特性研究 | 第35-44页 |
| ·氧化钒薄膜的组份及价态分析 | 第36-37页 |
| ·V_20_5 的晶相分析 | 第37-38页 |
| ·V_20_5 的形貌分析 | 第38-40页 |
| ·V_20_5 的光学特性分析 | 第40-43页 |
| ·V_20_5 的电学特性分析 | 第43-44页 |
| ·VO_2 的制备及性能分析 | 第44-45页 |
| ·结果与分析 | 第45-51页 |
| ·退火对氧化钒薄膜晶相的影响 | 第45-47页 |
| ·退火对氧化钒薄膜的形貌影响 | 第47-48页 |
| ·退火对薄膜分子结构的影响 | 第48-49页 |
| ·退火对氧化钒薄膜电学性能的影响 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 磁控溅射制备掺钨氧化钒薄膜 | 第52-61页 |
| ·实验方案 | 第52页 |
| ·掺钨氧化钒薄膜的电学特性分析 | 第52-58页 |
| ·氧流量对薄膜电学性能的影响 | 第53-56页 |
| ·退火时间对薄膜电学性能的影响 | 第56-57页 |
| ·W 的溅射时间对薄膜电学性能的影响 | 第57-58页 |
| ·薄膜的光学性能分析 | 第58-60页 |
| ·氧分压对薄膜光学性能的影响 | 第58-59页 |
| ·不同W 溅射时间对薄膜光学性能的影响 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论和展望 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| ·高氧溅射制备V20_5 薄膜 | 第61页 |
| ·VO_2 薄膜退火特性研究 | 第61-62页 |
| ·掺钨氧化钒薄膜探讨 | 第62页 |
| ·展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
