| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-15页 |
| ·聚酰亚胺简介 | 第11-13页 |
| ·国内发展情况 | 第11-12页 |
| ·国外发展情况 | 第12-13页 |
| ·无机纳米杂化聚酰亚胺简介 | 第13页 |
| ·研究的目的和意义 | 第13-14页 |
| ·本课题来源和主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第2章 Materials Studio 3.0 软件及量子化学理论 | 第15-23页 |
| ·Materials Studio 3.0 简介 | 第15-16页 |
| ·VAMP 模块及相关参数介绍 | 第15-16页 |
| ·DM013 模块及相关参数介绍 | 第16页 |
| ·量子化学 | 第16-22页 |
| ·量子化学从头计算方法 | 第17-18页 |
| ·量子化学半经验计算方法 | 第18-19页 |
| ·密度泛函方法 | 第19-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 电介质击穿理论 | 第23-32页 |
| ·固体击穿理论 | 第23-25页 |
| ·电击穿理论 | 第23页 |
| ·热击穿理论 | 第23-24页 |
| ·电化学击穿理论 | 第24-25页 |
| ·气体放电理论 | 第25-28页 |
| ·气体中的放电现象和电子崩的形成 | 第25-26页 |
| ·汤森气体放电理论 | 第26页 |
| ·放电的流注理论 | 第26-27页 |
| ·不均匀电场中气隙的放电特性 | 第27-28页 |
| ·局部放电产生的原因 | 第28-29页 |
| ·局部放电对绝缘材料的影响 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第4章 PI 和PI/SiO_2几何结构和电子结构 | 第32-43页 |
| ·PI 几何结构和电子结构 | 第32-38页 |
| ·模型化合物的选取 | 第32页 |
| ·参数设置 | 第32-33页 |
| ·稳定的几何结构 | 第33-35页 |
| ·PI 电子结构 | 第35-38页 |
| ·PI/SiO_2 几何结构和电子结构 | 第38-42页 |
| ·模型化合物的选取 | 第38-39页 |
| ·参数设置 | 第39页 |
| ·稳定的几何结构 | 第39-40页 |
| ·PI/SiO_2 电子结构 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第5 章 PI 和PI/SiO_2击穿孔区微结构及击穿机理 | 第43-57页 |
| ·高聚物介电击穿的机理 | 第43-45页 |
| ·制备PI/SiO_2 薄膜 | 第45页 |
| ·薄膜耐局部放电击穿试验 | 第45-47页 |
| ·试验电源 | 第46页 |
| ·试验电极 | 第46页 |
| ·试验样品处理 | 第46-47页 |
| ·击穿试验 | 第47页 |
| ·两种薄膜击穿孔区表面形貌分析 | 第47-53页 |
| ·PI/SiO_2薄膜击穿孔区微观结构 | 第47-51页 |
| ·PI 薄膜击穿孔区微观结构 | 第51-53页 |
| ·两种薄膜击穿孔区形貌差别与机理 | 第53-56页 |
| ·两种薄膜击穿孔区形貌差别 | 第53-54页 |
| ·PI/SiO_2 薄膜击穿机理分析 | 第54页 |
| ·PI 薄膜击穿机理分析 | 第54-55页 |
| ·纳米颗粒的作用 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
