微元图形化学镀Ni-P/Cu工艺与其镀层组织的研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·化学镀技术 | 第9-14页 |
| ·化学镀简介 | 第9-10页 |
| ·化学镀的特点 | 第10页 |
| ·化学镀种类 | 第10-11页 |
| ·镀层性能 | 第11-13页 |
| ·化学镀技术的研究现状 | 第13页 |
| ·非金属材料化学镀镍的研究进展 | 第13-14页 |
| ·化学镀的发展趋势 | 第14页 |
| ·激光辅助金属沉积技术 | 第14-16页 |
| ·激光辅助金属沉积技术简介 | 第14-15页 |
| ·激光镀技术的种类及最近研究进展 | 第15-16页 |
| ·微图形技术 | 第16-18页 |
| ·微图形的制造技术 | 第16-17页 |
| ·微图形的复制技术 | 第17-18页 |
| ·本课题来源及研究内容 | 第18-20页 |
| ·课题来源 | 第18-19页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第19-20页 |
| 第二章 硅表面化学镀和试验方法 | 第20-24页 |
| ·硅表面化学镀 | 第20-21页 |
| ·硅表面化学镀铝和铜 | 第20页 |
| ·硅表面化学镀银 | 第20页 |
| ·硅表面化学镀金 | 第20页 |
| ·硅表面化学镀合金薄膜以及化学复合镀 | 第20-21页 |
| ·研究路线 | 第21页 |
| ·化学镀基材 | 第21-22页 |
| ·实验设备 | 第22页 |
| ·硅表面金属镀层的表征方法 | 第22-23页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第22-23页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 半导体硅表面的前处理 | 第24-34页 |
| ·概述 | 第24页 |
| ·半导体硅表面除油（清洗）工艺 | 第24-26页 |
| ·主要的除油（清洗）方式 | 第25页 |
| ·半导体硅的除油（清洗）工艺 | 第25-26页 |
| ·除油后清洁度的检验 | 第26页 |
| ·半导体硅表面粗化工艺 | 第26-28页 |
| ·粗化方法 | 第26-27页 |
| ·粗化工艺 | 第27-28页 |
| ·粗化后的显微分析 | 第28页 |
| ·半导体硅在酸性氯化亚锡溶液中的敏化 | 第28-30页 |
| ·半导体硅敏化的基本原理 | 第29页 |
| ·半导体硅敏化液的配制 | 第29页 |
| ·半导体硅敏化的工艺 | 第29-30页 |
| ·半导体硅敏化后的冲洗 | 第30页 |
| ·半导体硅在酸性氯化钯溶液中活化 | 第30-32页 |
| ·半导体硅活化的基本原理 | 第31页 |
| ·半导体硅活化液的配制 | 第31页 |
| ·半导体硅活化的工艺 | 第31-32页 |
| ·半导体硅活化后的冲洗 | 第32页 |
| ·还原 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 半导体硅表面化学镀镍 | 第34-46页 |
| ·化学镀镍概述 | 第34页 |
| ·化学镀镍溶液组成及其作用 | 第34-36页 |
| ·化学镀镍的分类 | 第36页 |
| ·化学镀镍的基本原理 | 第36-37页 |
| ·化学镀镍层的组织结构 | 第37-39页 |
| ·化学镀镍层的相图 | 第37-38页 |
| ·晶体结构 | 第38-39页 |
| ·实验部分 | 第39-40页 |
| ·试剂及主要设备 | 第39页 |
| ·镀液的组成和工艺条件（初步选定） | 第39页 |
| ·用次磷酸盐作还原剂的一步法酸性镀液的配制 | 第39-40页 |
| ·实验过程 | 第40页 |
| ·实验结果及分析 | 第40-41页 |
| ·硫酸镍含量对镀层沉积速率的影响 | 第40页 |
| ·次亚磷酸钠含量对镀层沉积速率的影响 | 第40页 |
| ·pH 值对镀层沉积速率的影响 | 第40-41页 |
| ·温度对镀层沉积速率的影响 | 第41页 |
| ·镀液的组成和工艺条件 | 第41页 |
| ·化学镀镍层的表征 | 第41-44页 |
| ·化学镀镍层的金相 | 第41-42页 |
| ·扫描电镜观测结果及分析 | 第42页 |
| ·能谱仪对镀层成分的分析结果 | 第42-44页 |
| ·X-ray 衍射结果及分析 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 半导体硅表面化学镀铜 | 第46-58页 |
| ·化学镀铜概述 | 第46-47页 |
| ·化学镀铜溶液组成及其作用 | 第47-48页 |
| ·化学镀铜的基本原理 | 第48-49页 |
| ·甲醛还原铜的机理 | 第48-49页 |
| ·次亚磷酸钠还原铜的机理 | 第49页 |
| ·以次磷酸盐为还原剂的化学镀铜溶液 | 第49-50页 |
| ·以次磷酸盐为还原剂的化学镀铜溶液分析 | 第49页 |
| ·与以甲醛为还原剂的化学镀铜溶液的比较 | 第49-50页 |
| ·实验部分 | 第50-51页 |
| ·试剂及主要设备 | 第50页 |
| ·镀液的组成和工艺条件（初步选定） | 第50页 |
| ·用次亚磷酸钠作还原剂的碱性镀液的配制 | 第50-51页 |
| ·实验过程 | 第51页 |
| ·实验结果及分析 | 第51-54页 |
| ·铜盐含量对镀层沉积速率的影响 | 第51-52页 |
| ·次亚磷酸钠含量对镀层沉积速率的影响 | 第52页 |
| ·柠檬酸三钠对镀层沉积速率的影响 | 第52页 |
| ·硼酸对镀层沉积速率的影响 | 第52-53页 |
| ·pH 值对镀层沉积速率的影响 | 第53-54页 |
| ·镀液的组成和工艺条件 | 第54页 |
| ·化学镀铜层的表征 | 第54-57页 |
| ·化学镀铜层的金相 | 第54页 |
| ·扫描电镜观测结果及分析 | 第54-55页 |
| ·能谱仪对镀层成分的分析结果 | 第55-56页 |
| ·X-ray 衍射结果及分析 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 半导体硅表面微元图形化学镀铜 | 第58-64页 |
| ·概述 | 第58页 |
| ·实验部分 | 第58-61页 |
| ·试剂与材料 | 第58页 |
| ·试验设备及仪器 | 第58-59页 |
| ·选择性化学镀铜 | 第59-61页 |
| ·微图形镀铜层的表征 | 第61-63页 |
| ·微图形铜镀层的局部金相 | 第61页 |
| ·扫描电镜观测结果及分析 | 第61-62页 |
| ·能谱仪对镀层成分的分析结果 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第七章 结论与展望 | 第64-66页 |
| ·总结 | 第64-65页 |
| ·展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第69页 |
