| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| ·光伏技术应对全球能源危机 | 第11-13页 |
| ·光伏技术的发展概况及趋势 | 第13-16页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳能电池研究进展 | 第16-19页 |
| ·本文内容概述 | 第19-21页 |
| 2 化合物半导体太阳能电池基本理论 | 第21-32页 |
| ·半导体pn结的光生伏特效应 | 第21-22页 |
| ·太阳能电池的特征参数 | 第22-26页 |
| ·化合物半导体太阳能电池基本结构 | 第26-28页 |
| ·化合物半导体多结太阳能电池工作原理 | 第28-32页 |
| 3 聚光多结太阳能电池的结构设计和优化 | 第32-49页 |
| ·聚光多结太阳能电池的结构参数与理论模型 | 第32-35页 |
| ·聚光多结太阳能电池各子电池的结构设计和优化 | 第35-46页 |
| ·聚光多结太阳能电池整体结构的设计和优化 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 4 聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池关键工艺技术研究 | 第49-76页 |
| ·多结太阳能电池外延生长与器件表征技术简介 | 第49-55页 |
| ·单结Ge底电池外延生长与表征 | 第55-60页 |
| ·具有高隧穿电流密度隧穿结的外延生长与表征 | 第60-61页 |
| ·单结InGaP顶电池的外延生长与表征 | 第61-65页 |
| ·聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池的外延生长与表征 | 第65-68页 |
| ·聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池电极图形的设计与优化 | 第68-71页 |
| ·聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池减反膜研究 | 第71-74页 |
| ·聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池性能表征 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 5 聚光多结太阳能电池可靠性研究 | 第76-91页 |
| ·聚光多结太阳能电池检验标准 | 第76-77页 |
| ·聚光多结太阳能电池外延缺陷研究 | 第77-85页 |
| ·聚光多结太阳能电池可靠性试验研究 | 第85-89页 |
| ·本章小结 | 第89-91页 |
| 6 新型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳能电池的探索性研究 | 第91-115页 |
| ·应力补偿多量子阱GaAs太阳能电池的理论研究 | 第92-100页 |
| ·无定形GaInP/InGaAs/Ge三结太阳能电池的理论模拟 | 第100-106页 |
| ·新型InGaN太阳能电池的理论研究和结构设计 | 第106-114页 |
| ·本章小结 | 第114-115页 |
| 7 总结与展望 | 第115-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-129页 |
| 附录1 攻读博士学位期间已发表或完成的论文 | 第129-130页 |
| 附录2 攻读博士学位期间已授权或公开的专利 | 第130页 |
