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单晶金刚石生长过程中的二维扩大研究

摘要第5-7页
Abstract第7-9页
第1章 绪论第12-29页
    1.1 前言第12-13页
    1.2 金刚石的分类与晶体结构第13-14页
    1.3 金刚石的性质及应用第14-21页
    1.4 单晶金刚石的制备方法第21-24页
        1.4.1 高温高压法第21-22页
        1.4.2 热丝法第22页
        1.4.3 直流等离子体化学气相沉积第22-23页
        1.4.4 燃烧火焰化学气相沉积第23页
        1.4.5 微波等离子化学气相沉积法第23-24页
    1.5 单晶金刚石生长过程中的二维扩大研究现状第24-28页
    1.6 选题的主要意义及研究内容第28-29页
第2章 实验装置与表征方法第29-37页
    2.1 MPCVD装置第29-32页
        2.1.1 微波系统第29-31页
        2.1.2 真空系统第31页
        2.1.3 气路系统第31页
        2.1.4 保护系统第31-32页
    2.2 单晶金刚石激光切割装置第32-33页
    2.3 单晶金刚石机械抛光装置第33页
    2.4 金刚石的表征方法第33-37页
        2.4.1 扫描电子显微镜第34页
        2.4.2 激光拉曼光谱第34-35页
        2.4.3 等离子体发射光谱第35-36页
        2.4.4 金相显微镜第36-37页
第3章 衬底温度对单晶金刚石生长质量的影响第37-45页
    3.1 引言第37页
    3.2 衬底单晶金刚石的选取与预处理第37-39页
    3.3 衬底温度对单金刚石生长速率及质量的影响第39-43页
        3.3.1 衬底温度对单晶金刚石生长速率的影响第39-40页
        3.3.2 衬底温度对单晶金刚石生长质量的影响第40-43页
    3.4 衬底温度对等离子体发射光谱的影响第43-44页
    3.5 本章小结第44-45页
第4章 单晶金刚石边缘不同角度倾斜面对二维面积扩大的影响第45-61页
    4.1 引言第45页
    4.2 不同角度倾斜面对表面生长形貌与质量的影响第45-51页
    4.3 不同角度倾斜面对温度与生长速率的影响第51-53页
    4.4 不同角度倾斜面对等离子体发射光谱的影响第53-55页
    4.5 机理分析与讨论第55-59页
    4.6 本章小结第59-61页
第5章 衬底基座结构对单晶金刚石二维面积扩大的影响第61-70页
    5.1 引言第61页
    5.2 衬底基座深度对单晶金刚石温度与生长速率的影响第61-64页
    5.3 衬底基座深度对单晶金刚石生长形貌与质量的影响第64-67页
    5.4 衬底基座深度对等离子体发射光谱的影响第67-68页
    5.5 本章小结第68-70页
第6章 全文总结与展望第70-74页
    6.1 论文总结第70-72页
    6.2 论文展望第72-74页
参考文献第74-82页
攻读硕士期间已经发表的论文第82-83页
致谢第83页

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