应用于3G的射频CMOS压控振荡器的设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 引言 | 第7-10页 |
| ·研究背景和意义 | 第7页 |
| ·射频接收系统描述 | 第7-8页 |
| ·电感电容压控振荡器的研究现状 | 第8-9页 |
| ·片上电感和电容 | 第8页 |
| ·相位噪声理论和降噪技术 | 第8-9页 |
| ·正交信号的产生 | 第9页 |
| ·论文研究的内容 | 第9-10页 |
| 2 电感电容压控振荡器 | 第10-16页 |
| ·振荡器的工作原理 | 第10-14页 |
| ·单端能量补偿系统分析 | 第10-13页 |
| ·窄带电感电容压控振荡器 | 第13-14页 |
| ·电感电容压控振荡器模型 | 第14页 |
| ·压控振荡器电路设计的几项指标 | 第14-15页 |
| ·正交输出电感电容压控振荡器的实现 | 第15-16页 |
| 3 片上螺旋电感和片上电容的实现 | 第16-20页 |
| ·标准 CMOS 工艺上实现的硅基集成螺旋电感 | 第16-18页 |
| ·平面螺旋电感 | 第16-17页 |
| ·片上螺旋电感的等效电路模型 | 第17-18页 |
| ·硅基集成电感设计和优化的一般准则 | 第18页 |
| ·片上可变电容的实现 | 第18-20页 |
| 4 相位噪声理论和振荡器性能的优化 | 第20-38页 |
| ·线性相位时变理论 | 第21-26页 |
| ·相位增量的脉冲响应 | 第21-23页 |
| ·相位——电压转换 | 第23-24页 |
| ·单边带噪声谱密度与载波功率比 | 第24-26页 |
| ·压控振荡器的性能优化 | 第26-38页 |
| ·振荡器谐振幅度 | 第27-29页 |
| ·片上电感结构的优化 | 第29-30页 |
| ·相位噪声降低技术 | 第30-38页 |
| 5 振荡器电路的设计和版图的设计 | 第38-48页 |
| ·电路的设计 | 第38-43页 |
| ·电路结构的选择 | 第38页 |
| ·电感电容滤波谐振回路的设计 | 第38-39页 |
| ·片上电感的选取 | 第39页 |
| ·可变电容的选取 | 第39-41页 |
| ·片上固定电容的选取 | 第41-42页 |
| ·晶体管尺寸的选择 | 第42页 |
| ·偏置电流的选择 | 第42-43页 |
| ·电路仿真结果 | 第43-46页 |
| ·振荡器版图的设计 | 第46-48页 |
| ·版图设计的技巧 | 第46页 |
| ·正交压控振荡器的版图 | 第46-48页 |
| 6 结论和展望 | 第48-49页 |
| ·结论 | 第48页 |
| ·展望 | 第48-49页 |
| ·新结构的研究和尝试 | 第48页 |
| ·频率综合器的设计 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 发表论文: | 第53页 |
