磁增强弧光等离子体CVD法沉积c-BN薄膜及其场发射特性
第一章 绪论 | 第1-34页 |
·氮化硼的结构与性质 | 第7-11页 |
·立方氮化硼的制备方法与研究进展 | 第11-20页 |
·立方氮化硼薄膜的表征 | 第20-24页 |
·场发射研究进展 | 第24-33页 |
·论文选题和主要研究内容 | 第33-34页 |
第二章 c-BN 薄膜的制备及物相鉴定 | 第34-40页 |
·立方氮化硼的薄膜制备 | 第34-36页 |
·立方氮化硼薄膜的物相鉴定 | 第36-38页 |
·本章小结 | 第38-40页 |
第三章 沉积参数对c-BN薄膜形成的影响 | 第40-50页 |
·基底负偏压对c-BN 薄膜形成的影响 | 第40-43页 |
·弧光等离子体放电电流对c-BN 薄膜形成的影响 | 第43-45页 |
·气体流量比对c-BN 薄膜形成的影响 | 第45-47页 |
·沉积时间对c-BN 薄膜形成的影响 | 第47-48页 |
·本章小结 | 第48-50页 |
第四章 沉积参数对c-BN薄膜场发射特性的影响 | 第50-85页 |
·场发射理论 | 第50-59页 |
·场发射测试系统 | 第59-62页 |
·场发射结果与讨论 | 第62-83页 |
·立方氮化硼薄膜场发射机理 | 第83-84页 |
·本章小结 | 第84-85页 |
结论 | 第85-88页 |
参考文献 | 第88-100页 |
致谢 | 第100-101页 |
导师简介 | 第101-102页 |
附中英文摘要 | 第102-109页 |