无机纳米聚酰亚胺耐局放装置的改进及其耐局放性能测量
| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-13页 |
| ·变频调速技术的应用及出现的问题 | 第7页 |
| ·变频电机绝缘的损坏机理 | 第7-10页 |
| ·局部放电和空间电荷 | 第7-9页 |
| ·介质损耗发热 | 第9页 |
| ·主绝缘、相绝缘和绝缘漆的损坏 | 第9页 |
| ·循环交变应力造成的绝缘加速老化 | 第9-10页 |
| ·新型绝缘材料 | 第10-11页 |
| ·聚酰亚胺介绍 | 第10-11页 |
| ·特种“Kapton”聚酰亚胺薄膜 | 第11页 |
| ·研究的意义及本论文所要研究的内容 | 第11-13页 |
| 第2章 聚合物电老化基础理论 | 第13-26页 |
| ·局部放电的基本概念 | 第13-16页 |
| ·局部放电作用下高聚物结构的变化 | 第16-24页 |
| ·裂解、交联与氧化 | 第17-19页 |
| ·放电作用层深度 | 第19-22页 |
| ·表面状态的变化 | 第22-23页 |
| ·高聚物的腐蚀 | 第23-24页 |
| ·局部放电作用下高聚物电性能的变化 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 试验系统总体设计及电极部分设计 | 第26-32页 |
| ·试验目的 | 第26页 |
| ·试验标准 | 第26-27页 |
| ·试验所要考虑的因素 | 第27-29页 |
| ·机械应力 | 第27页 |
| ·空气条件 | 第27-28页 |
| ·试验电压及失效时间的确定 | 第28页 |
| ·主要电气设备的选择 | 第28页 |
| ·其它因素 | 第28-29页 |
| ·试验电极系统设计 | 第29-31页 |
| ·圆柱形上电极 | 第30页 |
| ·圆形平板下电极 | 第30-31页 |
| ·电极支架 | 第31页 |
| ·本章小节 | 第31-32页 |
| 第4章 单片机测控系统的设计 | 第32-45页 |
| ·测试系统硬件设计 | 第32-38页 |
| ·确定系统的输入输出通道(I／O)数 | 第33页 |
| ·选择单片机 | 第33-36页 |
| ·扩展E~2PROM | 第36-37页 |
| ·检测流程 | 第37页 |
| ·芯片说明 | 第37-38页 |
| ·控制系统软件设计 | 第38-43页 |
| ·软件设计语言的选择 | 第38-39页 |
| ·软件设计 | 第39页 |
| ·系统初始化 | 第39-41页 |
| ·显示时间模块 | 第41-42页 |
| ·时钟设定模块设计 | 第42-43页 |
| ·键盘管理程序 | 第43页 |
| ·局部放电实验测量仪照片对照 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 控制系统电磁兼容性设计 | 第45-50页 |
| ·电磁兼容性概述 | 第45-46页 |
| ·复位电路的设计 | 第46-47页 |
| ·硬件中的抗干扰措施 | 第47-48页 |
| ·软件中的抗干扰措施 | 第48-49页 |
| ·设置软件陷阱 | 第48-49页 |
| ·增加程序监视系统 | 第49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第6章 试验部分 | 第50-55页 |
| ·测量 | 第50-51页 |
| ·加速老化试验方法 | 第50页 |
| ·试验过程 | 第50-51页 |
| ·试验结果 | 第51-54页 |
| ·应用本装置对聚酰亚胺薄膜进行耐局放试验 | 第51-53页 |
| ·聚酰亚胺原子力显微镜(AFM)照片 | 第53-54页 |
| ·耐局部放电作用的讨论 | 第54-55页 |
| ·如何看待聚合物中陷阱对耐局部放电的作用 | 第54页 |
| ·陷阱作用 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
