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静电场作用下双势阱分子隧道效应和能级分裂特性的研究

第一章 引言第1-14页
   ·一维对称四次方双势阱第8-9页
   ·一维不对称四次方双势阱第9页
   ·有关双势阱的研究现状第9-12页
   ·本文工作第12-14页
第二章 基本理论第14-20页
   ·势阱形式的确定-从头算起法第14页
   ·隧道效应第14-15页
   ·能级裂距和隧穿时间第15-16页
   ·态和力学量的表象以及迭代法第16-18页
   ·二能级近似第18-20页
第三章 对称及非对称双势阱本征问题的探讨第20-33页
   ·引言第20页
   ·对称双势阱第20-26页
     ·较浅双势阱-迭代法第20-23页
     ·较深双势阱-二能级近似第23-26页
   ·非对称势阱第26-32页
     ·不对称项较小第26-30页
     ·对称性较差第30-32页
   ·小结第32-33页
第四章 静电场作用下双势阱分子隧道效应的淬灭及能级裂距的非线性特性研究第33-45页
   ·引言第33-34页
   ·理论模型及动态定域过程第34-40页
   ·静电场和隧道效应对能级裂距的影响第40-42页
   ·结论第42-45页
第五章 全文总结第45-47页
参考文献第47-50页
致谢第50-51页
攻读硕士学位期间所做研究工作及成果第51页

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