微波功率器件研究

引言	第1-12页
·功率器件发展概述	第9-10页
·微波功率器件研究现状	第10-12页
第二章 微波功率器件基础	第12-30页
·碰撞电离与雪崩击穿原理~[1、2、7}	第12-15页
·碰撞电离率的表达式	第12-13页
·载流子的雪崩倍增	第13-15页
·雪崩击穿的条件	第15页
·临界电场与穿通	第15-19页
·突变结击穿	第15-18页
·穿通二极管击穿	第18-19页
·RESURF技术	第19-21页
·p-n结电容	第21-24页
·耗尽近似下的势垒电容	第21-23页
·突变结势垒电容	第23-24页
·TMA/MEDICI简介~[22]	第24-30页
·MEDICI的特点	第24页
·MEDICI模拟的基本方程和模拟网格	第24-26页
·MEDICI程序的常用物理模型	第26-30页
第三章 SiC MESFET特性研究	第30-45页
·材料制备与器件制造	第30-31页
·碳化硅的工艺制法	第30-31页
·SiC器件工艺	第31页
·MESFET概述	第31-32页
·用于微波功率器件的SiC MESFET结构设计	第32-36页
·SiC MESFET频率特性~[6]	第36-40页
·器件频率特性与器件几何、物理参数的关系	第36-37页
·模拟结果	第37-40页
·小结	第40页
·SiC MESFET功率特性	第40-45页
·理论分析及模拟	第40-44页
·小结	第44-45页
第四章 微波横向功率MOS器件研究	第45-59页
·LDMOS结构概述	第45-47页
·CB原理简介	第47-52页
·SJ结构~[15]	第47-48页
·异型掺杂岛结构~[4]	第48-52页
·采用CB结构的微波RESURF LDMOS	第52-59页
·理论分析	第53-55页
·模拟验证	第55-58页
·小结	第58-59页
结论	第59-60页
参考文献	第60-62页
致谢	第62页