| 第一章 绪论 | 第1-33页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·纳米材料 | 第12-18页 |
| ·纳米材料的概念 | 第12页 |
| ·纳米材料的特性 | 第12-14页 |
| ·纳米材料的应用 | 第14-17页 |
| ·纳米材料的发展 | 第17-18页 |
| ·纳米结构材料 | 第18-27页 |
| ·纳米结构材料的概念 | 第18页 |
| ·纳米结构材料的分类 | 第18-19页 |
| ·纳米结构材料的制备--模板技术 | 第19-22页 |
| ·纳米结构材料的性质 | 第22-26页 |
| ·纳米结构材料的研究意义 | 第26-27页 |
| ·论文的选题背景、研究内容和研究意义 | 第27-32页 |
| ·论文的选题背景 | 第27-28页 |
| ·论文的研究内容 | 第28-31页 |
| ·论文的研究意义 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第二章 模板--纳米孔阵列AAM的制备及表征 | 第33-72页 |
| ·引言 | 第33-46页 |
| ·制备纳米结构材料的模板 | 第33-39页 |
| ·纳米孔阵列AAM的形成条件 | 第39-43页 |
| ·纳米孔阵列AAM的结构 | 第43-45页 |
| ·本章的研究内容和目的 | 第45-46页 |
| ·纳米孔阵列AAM的制备 | 第46-51页 |
| ·实验试剂及设备 | 第46-47页 |
| ·铝片的预处理 | 第47-48页 |
| ·铝片的阳极氧化 | 第48-49页 |
| ·铝片阳极氧化后的后处理 | 第49-51页 |
| ·纳米孔阵列AAM的表征 | 第51-63页 |
| ·表征方法和仪器设备 | 第51-52页 |
| ·纳米孔阵列AAM的形貌表征 | 第52-58页 |
| ·纳米孔阵列AAM的组成表征 | 第58-60页 |
| ·纳米孔阵列AAM的结构表征 | 第60页 |
| ·纳米孔阵列AAM的光学性质 | 第60-63页 |
| ·纳米孔阵列AAM质量的影响因素 | 第63-67页 |
| ·阳极氧化电压 | 第63-64页 |
| ·电解液种类 | 第64-66页 |
| ·扩孔时间 | 第66-67页 |
| ·纳米孔阵列AAM的理论研究 | 第67-70页 |
| ·铝片阳极氧化的生长动力学研究 | 第67-68页 |
| ·纳米孔阵列AAM形成机理的探索 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第三章 CdSe薄膜的电沉积法制备及表征 | 第72-94页 |
| ·引言 | 第72-79页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料的基本特性 | 第72-73页 |
| ·CdSe的基本特性 | 第73页 |
| ·CdSe薄膜的制备方法 | 第73-78页 |
| ·本章的研究内容和目的 | 第78-79页 |
| ·CdSe薄膜的电沉积法制备 | 第79-83页 |
| ·实验试剂及设备 | 第79-80页 |
| ·实验装置 | 第80页 |
| ·以H_2SeO_3为硒源制备CdSe薄膜 | 第80-81页 |
| ·以SeSO_3~(2-)为硒源制各CdSe薄膜 | 第81-83页 |
| ·电沉积法制备的CdSe薄膜的表征 | 第83-90页 |
| ·表征方法和仪器设备 | 第83页 |
| ·以H_2SeO_3为硒源制备的CdSe薄膜的表征 | 第83-86页 |
| ·以SeSO_3~(2-)为硒源制备的CdSe薄膜的表征 | 第86-90页 |
| ·电沉积法制备CdSe薄膜的机理 | 第90-92页 |
| ·以H_2SeO_3为硒源制备CdSe薄膜的机理 | 第90-91页 |
| ·以SeSO_3~(2-)为硒源制备CdSe薄膜的机理 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 第四章 CdSe纳米线阵列的模板-电沉积法制备及表征 | 第94-118页 |
| ·引言 | 第94-106页 |
| ·模板技术制备的纳米结构材料 | 第94-97页 |
| ·纳米孔阵列AAM在模板技术制备纳米结构材料上的应用 | 第97-104页 |
| ·纳米孔阵列AAM在模板技术制备纳米结构材料上的前景与展望 | 第104-105页 |
| ·本章的研究内容和目的 | 第105-106页 |
| ·CdSe纳米线阵列的模板-电沉积法制备 | 第106-108页 |
| ·实验试剂及设备 | 第106页 |
| ·实验装置 | 第106-108页 |
| ·CdSe纳米线阵列的模板-电沉积法制备 | 第108页 |
| ·模板-电沉积法制备的CdSe纳米线阵列的表征 | 第108-116页 |
| ·表征方法和仪器设备 | 第108-109页 |
| ·CdSe纳米线阵列的形貌表征 | 第109-112页 |
| ·CdSe纳米线阵列的结构表征 | 第112页 |
| ·CdSe纳米线阵列的组成表征 | 第112-114页 |
| ·CdSe纳米线阵列的光学性质研究 | 第114-116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 第五章 研究结果与创新及进一步开展工作的建议 | 第118-122页 |
| ·论文的研究结果 | 第118-119页 |
| ·论文的主要创新点 | 第119-120页 |
| ·对进一步开展工作的建议 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-130页 |
| 攻读博士学位期间的科研成果 | 第130-132页 |
| 声明 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133页 |
