| 中文摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·Cd 基Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物的应用简介 | 第7-11页 |
| ·多晶CdTe 材料的特点与Cd 基太阳能电池的设计、应用和前景 | 第7-9页 |
| ·CdTe 与CdZnTe 在辐射计数器中的应用 | 第9-11页 |
| ·CdTe 多晶薄膜的制备方法 | 第11-16页 |
| ·真空蒸发法简介 | 第12-14页 |
| ·近距离升华法简介 | 第14-16页 |
| ·多晶薄膜的物理表征手段 | 第16-17页 |
| ·X 射线衍射分析（XRD） | 第16页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第16页 |
| ·固体紫外—可见光谱分析(UV-VIS) | 第16-17页 |
| ·本文内容 | 第17页 |
| 参考文献 | 第17-20页 |
| 第二章 近距离升华法制备CdTe 多晶薄膜装置的设计 | 第20-26页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·近距离升华法制备CdTe 多晶薄膜装置 | 第20-21页 |
| ·不同镍片加热器规格，不同电流改变工艺下的蒸发源温度 | 第21-25页 |
| ·镍片加热器规格与电流改变工艺 | 第21-22页 |
| ·不同电流改变工艺下，加热器及基片温度变化的研究 | 第22-24页 |
| ·讨论与分析 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 近距离升华法制备织构可控的CdTe 多晶薄膜 | 第26-33页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·样品制备与测试 | 第26-27页 |
| ·前期研究工作 | 第26页 |
| ·织构可控薄膜的研究工作 | 第26-27页 |
| ·样品的测试 | 第27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-31页 |
| ·前期工作的结果与讨论 | 第27-28页 |
| ·样品A、B、C 择优取向分析 | 第28-30页 |
| ·样品A、B、C 表面形貌分析 | 第30页 |
| ·样品A、B、C 光学性质分析 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 第四章 近距离升华法制备CdTe 纳米薄膜 | 第33-42页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·样品的制备与测试 | 第33-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-40页 |
| ·结构分析 | 第34-36页 |
| ·表面形貌分析 | 第36-39页 |
| ·实验条件对CdTe 纳米薄膜形貌的影响 | 第39页 |
| ·近距离升华法制备CdTe 纳米结构生长过程的初步推断 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第五章 水热合成硫属化合物纳米粉体的结构精修 | 第42-56页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·Rietveld 结构精修法 | 第42-50页 |
| ·Rietveld 结构精修法的发展历程 | 第42-43页 |
| ·Rietveld 结构精修法的基本原理 | 第43-46页 |
| ·Rietveld 结构精修的基本要求、步骤及策略 | 第46-49页 |
| ·Rietveld 结构精修法的定量相分析 | 第49-50页 |
| ·水热法合成NiS_2、FeS_2 纳米粉体的结构精修 | 第50-54页 |
| ·水热法合成NiS_2 纳米粉体的结构精修 | 第50-52页 |
| ·水热法合成FeS_2 纳米粉体的结构精修 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第56-58页 |
| ·工作总结 | 第56页 |
| ·存在的问题与进一步工作的展望 | 第56-58页 |
| 附录 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
