| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-30页 |
| ·纳米材料的概述 | 第8-9页 |
| ·纳米材料的特性 | 第9-12页 |
| ·量子限域效应 | 第9页 |
| ·小尺寸效应 | 第9-11页 |
| ·表面效应 | 第11页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第11页 |
| ·介电限域效应 | 第11-12页 |
| ·半导纳米发光材料 | 第12-28页 |
| ·半导纳米晶的发光原理与发光特性 | 第12-15页 |
| ·II-IV 半导纳米材料的研究现状 | 第15-26页 |
| ·II-IV 半导纳米材料的应用 | 第26-28页 |
| ·立题依据及主要工作 | 第28-30页 |
| 第二章 实验部分 | 第30-33页 |
| ·主要试剂 | 第30页 |
| ·CdSe 纳米材料的制备 | 第30页 |
| ·室温下CdSe 纳米晶的制备 | 第30页 |
| ·低温下CdSe 的蚀刻 | 第30页 |
| ·排列的CdSe 纳米棒的制备 | 第30页 |
| ·簇状与分立CdSe 纳米棒的合成 | 第30页 |
| ·分析测试仪器及方法 | 第30-33页 |
| ·X－射线粉末衍射（XRD） | 第30-31页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第31页 |
| ·紫外可见吸收光谱（UV-siv） | 第31页 |
| ·激发光谱和发射光谱（PL） | 第31-33页 |
| 第三章 室温下CdSe 纳米晶的合成与化学蚀刻恢复发光 | 第33-43页 |
| ·前言 | 第33页 |
| ·实验部分 | 第33-34页 |
| ·原料 | 第33-34页 |
| ·室温下CdSe 纳米晶的合成 | 第34页 |
| ·低温下在APOL 或APOL/H_2O 中的化学蚀刻 | 第34页 |
| ·样品表征 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-42页 |
| ·X-射线衍射（XRD）分析 | 第35-37页 |
| ·光谱分析 | 第37-42页 |
| ·透射电镜（TEM）分析 | 第42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 棒状的CdSe 合成与表征 | 第43-52页 |
| ·前言 | 第43页 |
| ·实验部分 | 第43-44页 |
| ·原料 | 第43-44页 |
| ·排列纳米棒的合成 | 第44页 |
| ·簇状与分立CdSe 纳米棒的合成 | 第44页 |
| ·产品的表征 | 第44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-50页 |
| ·产品结构的研究 | 第44-46页 |
| ·产品形态的研究 | 第46-50页 |
| ·产品的光学性质 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 在学期间公开发表论文及著作情况 | 第61页 |