| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| ·论文的研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·论文的研究背景 | 第8-9页 |
| ·论文的研究意义 | 第9页 |
| ·相关课题的提出 | 第9页 |
| ·论文工作及组织结构 | 第9-11页 |
| 第二章 高功率微波与PN结简介 | 第11-24页 |
| ·高功率微波简介 | 第11-22页 |
| ·高功率微波概述 | 第11-12页 |
| ·高功率微波武器 | 第12-17页 |
| ·高功率微波的研究现状和水平 | 第17-22页 |
| ·PN结简介 | 第22-24页 |
| ·PN结的形成原理 | 第22-23页 |
| ·PN结的单向导电性 | 第23-24页 |
| 第三章 半导体器件高功率微波脉冲干扰及损伤机理分析 | 第24-32页 |
| ·半导体阈值的几种定义 | 第24-26页 |
| ·高功率微波破坏电子设备性能的物理基础 | 第26-27页 |
| ·脉冲微波干扰影响的典型模型 | 第27-30页 |
| ·一次效应 | 第27-28页 |
| ·二次效应 | 第28-30页 |
| ·半导体器件的损伤机理 | 第30-32页 |
| 第四章 计算机模拟数值方法的改进 | 第32-40页 |
| ·常用的数值分析方法及其特点 | 第32-35页 |
| ·器件计算机模拟所采用的网格 | 第32页 |
| ·常用的数值分析方法 | 第32-35页 |
| ·改进的数值分析方法 | 第35-40页 |
| ·改进数值分析方法的提出 | 第35页 |
| ·改进数值分析方法的设计与实现 | 第35-40页 |
| 第五章 PN结的计算机模拟及其分析 | 第40-57页 |
| ·器件相关参数的确定 | 第40-44页 |
| ·方程归一化 | 第44-45页 |
| ·PN结的一维稳态模拟 | 第45-49页 |
| ·模型与边界条件 | 第46-48页 |
| ·数值计算 | 第48页 |
| ·模拟结果 | 第48-49页 |
| ·PN结的一维瞬态模拟 | 第49-54页 |
| ·模型与边界条件 | 第49-51页 |
| ·数值计算 | 第51页 |
| ·模拟结果及其分析 | 第51-54页 |
| ·PN结的高功率微波响应模拟结果及其分析 | 第54-57页 |
| 第六章 结论与展望 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第57页 |
| ·展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第65页 |