预混合氢氧焰燃烧制备纳米二氧化硅技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第一章 气相燃烧合成技术 | 第9-32页 |
| ·气相燃烧合成 | 第9-21页 |
| ·气相燃烧合成实现的前提条件 | 第10页 |
| ·气相燃烧合成的过程描述 | 第10-16页 |
| ·气相燃烧合成动力学分析 | 第16页 |
| ·气相燃烧合成过程简化和模型建立 | 第16-18页 |
| ·过程的控制手段 | 第18-21页 |
| ·气相法白炭黑的制备 | 第21-28页 |
| ·化学反应动力学特征 | 第21-22页 |
| ·成核生长动力学特征 | 第22-23页 |
| ·纳米二氧化硅颗粒的制备条件 | 第23页 |
| ·纳米二氧化硅颗粒制备反应器 | 第23-28页 |
| ·气相法白炭黑的应用 | 第28-29页 |
| ·国内外市场现状 | 第29-30页 |
| ·论文研究意义和内容 | 第30-32页 |
| ·论文研究意义 | 第30-31页 |
| ·论文研究的内容 | 第31-32页 |
| 第二章 气相纳米粒子成核和生长机制的理论研究 | 第32-46页 |
| ·气相中气体到粒子的转变 | 第32-38页 |
| ·分子团的临界尺度和临界数目 | 第32-34页 |
| ·均质成核动力学 | 第34-38页 |
| ·气相中纳米粒子生长 | 第38-45页 |
| ·分形生长动力学模型 | 第38-42页 |
| ·粒子在喷嘴附近的生长 | 第42页 |
| ·粒子在燃烧室和絮凝器内的生长(粒子的布朗凝并) | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 纳米二氧化硅颗粒燃烧合成工艺及表征 | 第46-53页 |
| ·实验原料及设备 | 第46页 |
| ·工艺流程 | 第46-51页 |
| ·四氯化硅的蒸发 | 第48-49页 |
| ·气体的燃烧 | 第49页 |
| ·SiCl_4水解反应 | 第49页 |
| ·颗粒收集 | 第49-50页 |
| ·尾气净化 | 第50-51页 |
| ·测试方法 | 第51-53页 |
| 第四章 燃烧合成纳米二氧化硅颗粒的理化指标 | 第53-61页 |
| ·比表面积 | 第53-54页 |
| ·DBP吸油值 | 第54页 |
| ·颗粒形貌 | 第54-55页 |
| ·一次团聚体 | 第55-57页 |
| ·链状及网络结构 | 第57-58页 |
| ·二次团聚体 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 纳米二氧化硅颗粒粒径和生长的实验研究 | 第61-75页 |
| ·反应区的温度及浓度 | 第61-63页 |
| ·颗粒粒径 | 第63-66页 |
| ·四氯化硅浓度与颗粒粒径的关系 | 第63-64页 |
| ·反应温度与颗粒粒径的关系 | 第64-66页 |
| ·颗粒的烧结度 | 第66-67页 |
| ·四氯化硅摩尔分率对烧结度的影响 | 第66-67页 |
| ·反应温度对颗粒烧结度的影响 | 第67页 |
| ·粒子生长分析 | 第67-72页 |
| ·粒子在喷嘴附近的生长 | 第67-68页 |
| ·粒子在燃烧室内的生长 | 第68-70页 |
| ·粒子在絮凝器内的生长 | 第70-72页 |
| ·讨论 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 结论 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第80页 |
