摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-14页 |
第一章 绪论 | 第14-39页 |
·自旋电子学 | 第14-16页 |
·稀磁半导体材料发展回顾 | 第16-18页 |
·DMS 材料制备方法 | 第18-20页 |
·分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE) | 第18页 |
·金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapour Deposition,MOCVD) | 第18-19页 |
·离子注入法 | 第19页 |
·激光脉冲沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD) | 第19页 |
·其它的一些方法 | 第19-20页 |
·解释DMS 中室温磁性的几种理论模型 | 第20-24页 |
·Zener 模型[20] | 第20-21页 |
·束缚磁极化子(Bound magnetic polarons,BMPs)[28,29] | 第21-23页 |
·基底晶格作为媒介的铁磁耦合模型以及Jahn-Teller 效应[31] | 第23页 |
·次级结构 | 第23-24页 |
·室温铁磁性是纳米颗粒氧化物的普遍共性?[33-35] | 第24页 |
·纳米稀磁半导体 | 第24-26页 |
·ZnO 基稀磁半导体 | 第26-29页 |
·Co 掺杂ZnO 体系 | 第27-28页 |
·Mn 掺杂ZnO 体系 | 第28-29页 |
·基于同步辐射的吸收谱学方法在研究DMS 材料中的应用 | 第29-36页 |
·磁性离子周围的局域结构 | 第30-31页 |
·缺陷状态在X-ray 吸收谱上的表现形式 | 第31-33页 |
·外加条件下的X-ray 吸收谱学方法在DMS 材料中的研究应用 | 第33-36页 |
参考文献 | 第36-39页 |
第二章 X-ray 吸收谱学 | 第39-50页 |
·原理 | 第39-45页 |
·发展回顾 | 第45-48页 |
·X-ray 吸收谱学的特点以及优势 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-50页 |
第三章 XANES 谱的介绍及应用 | 第50-64页 |
·跃迁选择定则 | 第50页 |
·解释XANES 谱的理论工具----配位场理论 | 第50-57页 |
·配位场理论的简单介绍 | 第50-53页 |
·配位场理论解释XANES 示例 | 第53-57页 |
·多重散射理论 | 第57-63页 |
·多重散射理论简介 | 第57-58页 |
·多重散射理论在结构研究中的应用 | 第58-63页 |
参考文献 | 第63-64页 |
第四章 Co 掺杂ZnO 单晶体系中磁性离子周围局域结构研究 | 第64-72页 |
·研究背景 | 第64-65页 |
·样品合成及基本实验表征 | 第65-66页 |
·实验数据及分析 | 第66-70页 |
参考文献 | 第70-72页 |
第五章 Co 掺杂ZnO 中氧空位位置的研究 | 第72-83页 |
·研究背景 | 第72-73页 |
·样品合成以及理论计算方法 | 第73-74页 |
·结果及讨论 | 第74-79页 |
·结论 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-83页 |
第六章 Co 掺杂ZnO 体系中掺杂浓度对基底材料的影响 | 第83-97页 |
·研究背景 | 第83-84页 |
·样品制备与实验表征 | 第84-86页 |
·实验结果分析 | 第86-93页 |
·金属边XANES 数据与分析 | 第86-88页 |
·EXAFS 分析 | 第88-90页 |
·O K-edge XANES 分析 | 第90-93页 |
·结论 | 第93-94页 |
参考文献 | 第94-97页 |
第七章 纳米颗粒的原子结构以及表面电子结构研究 | 第97-111页 |
·3nm ZnS 纳米颗粒的 XANES 研究 | 第97-101页 |
·研究背景 | 第97-98页 |
·样品制备、实验以及计算参数 | 第98页 |
·数据分析及讨论 | 第98-101页 |
·结论 | 第101页 |
·不同分子包裹下的 6nm NiO 纳米颗粒表面原子结构以及电子结构研究 | 第101-108页 |
·研究背景 | 第101-102页 |
·实验及计算方法 | 第102-103页 |
·数据分析及讨论 | 第103-107页 |
·结论 | 第107-108页 |
参考文献 | 第108-111页 |
致谢 | 第111-112页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第112页 |