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稀磁半导体材料的局域结构及电子结构的X-ray吸收谱学研究

摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第一章 绪论第14-39页
   ·自旋电子学第14-16页
   ·稀磁半导体材料发展回顾第16-18页
   ·DMS 材料制备方法第18-20页
     ·分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)第18页
     ·金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapour Deposition,MOCVD)第18-19页
     ·离子注入法第19页
     ·激光脉冲沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)第19页
     ·其它的一些方法第19-20页
   ·解释DMS 中室温磁性的几种理论模型第20-24页
     ·Zener 模型[20]第20-21页
     ·束缚磁极化子(Bound magnetic polarons,BMPs)[28,29]第21-23页
     ·基底晶格作为媒介的铁磁耦合模型以及Jahn-Teller 效应[31]第23页
     ·次级结构第23-24页
     ·室温铁磁性是纳米颗粒氧化物的普遍共性?[33-35]第24页
   ·纳米稀磁半导体第24-26页
   ·ZnO 基稀磁半导体第26-29页
     ·Co 掺杂ZnO 体系第27-28页
     ·Mn 掺杂ZnO 体系第28-29页
   ·基于同步辐射的吸收谱学方法在研究DMS 材料中的应用第29-36页
     ·磁性离子周围的局域结构第30-31页
     ·缺陷状态在X-ray 吸收谱上的表现形式第31-33页
     ·外加条件下的X-ray 吸收谱学方法在DMS 材料中的研究应用第33-36页
 参考文献第36-39页
第二章 X-ray 吸收谱学第39-50页
   ·原理第39-45页
   ·发展回顾第45-48页
   ·X-ray 吸收谱学的特点以及优势第48-49页
 参考文献第49-50页
第三章 XANES 谱的介绍及应用第50-64页
   ·跃迁选择定则第50页
   ·解释XANES 谱的理论工具----配位场理论第50-57页
     ·配位场理论的简单介绍第50-53页
     ·配位场理论解释XANES 示例第53-57页
   ·多重散射理论第57-63页
     ·多重散射理论简介第57-58页
     ·多重散射理论在结构研究中的应用第58-63页
 参考文献第63-64页
第四章 Co 掺杂ZnO 单晶体系中磁性离子周围局域结构研究第64-72页
   ·研究背景第64-65页
   ·样品合成及基本实验表征第65-66页
   ·实验数据及分析第66-70页
 参考文献第70-72页
第五章 Co 掺杂ZnO 中氧空位位置的研究第72-83页
   ·研究背景第72-73页
   ·样品合成以及理论计算方法第73-74页
   ·结果及讨论第74-79页
   ·结论第79-80页
 参考文献第80-83页
第六章 Co 掺杂ZnO 体系中掺杂浓度对基底材料的影响第83-97页
   ·研究背景第83-84页
   ·样品制备与实验表征第84-86页
   ·实验结果分析第86-93页
     ·金属边XANES 数据与分析第86-88页
     ·EXAFS 分析第88-90页
     ·O K-edge XANES 分析第90-93页
   ·结论第93-94页
 参考文献第94-97页
第七章 纳米颗粒的原子结构以及表面电子结构研究第97-111页
   ·3nm ZnS 纳米颗粒的 XANES 研究第97-101页
     ·研究背景第97-98页
     ·样品制备、实验以及计算参数第98页
     ·数据分析及讨论第98-101页
     ·结论第101页
   ·不同分子包裹下的 6nm NiO 纳米颗粒表面原子结构以及电子结构研究第101-108页
     ·研究背景第101-102页
     ·实验及计算方法第102-103页
     ·数据分析及讨论第103-107页
     ·结论第107-108页
 参考文献第108-111页
致谢第111-112页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第112页

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