| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-57页 |
| ·有机分子与无机半导体杂化的意义 | 第10-16页 |
| ·调控半导体的导电性能 | 第10-15页 |
| ·为纳米电子学、分子电子学提供理想的光电研究平台 | 第15-16页 |
| ·有机分子与无机半导体杂化而构建的器件 | 第16页 |
| ·硅和金刚石半导体的化学修饰方法 | 第16-39页 |
| ·硅半导体的化学修饰方法 | 第16-25页 |
| ·带有氧化层的硅表面的修饰方法 | 第16-18页 |
| ·热引发方法修饰疏水硅表面 | 第18页 |
| ·光化学方法修饰疏水硅表面 | 第18-19页 |
| ·重氮盐与疏水硅表面的反应 | 第19-20页 |
| ·末端炔有机化合物与硅表面的反应 | 第20-21页 |
| ·醛基及羟基有机化合物与疏水硅表面的反应 | 第21-22页 |
| ·α-溴，ω-羧基有机酸与疏水硅表面的反应 | 第22页 |
| ·有机硅烷与疏水单晶硅表面的接枝反应 | 第22-23页 |
| ·激光辅助的硅表面化学修饰 | 第23页 |
| ·硝基苯及其衍生物与疏水硅表面的DCR反应 | 第23-24页 |
| ·硅表面聚合反应 | 第24页 |
| ·硅表面修饰生物大分子的方法 | 第24-25页 |
| ·金刚石半导体的修饰方法 | 第25-29页 |
| ·末端烯烃与等离子体处理过金刚石的反应 | 第25-26页 |
| ·烷基重氮盐分子修饰金刚石表面 | 第26-27页 |
| ·直链有机硫修饰金刚石表面 | 第27-28页 |
| ·全氟偶氮化合物与金刚石表面的反应 | 第28页 |
| ·二酰基过氧化何物辅助下的自由基反应修饰金刚石表面 | 第28-29页 |
| ·己酰氯与氧化的金刚石表面的反应 | 第29页 |
| ·其他半导体的修饰方法 | 第29-39页 |
| ·导电玻璃ITO 的修饰 | 第29-30页 |
| ·砷化镓（GaAs）半导体的修饰 | 第30-31页 |
| ·碳纳米管（CNT）的修饰方法 | 第31-33页 |
| ·石墨和石墨烯的表面修饰 | 第33-35页 |
| ·碳化硅半导体表面修饰 | 第35-37页 |
| ·二元金属化合物半导体的修饰 | 第37-39页 |
| ·有机单层膜与半导体构建的各种器件 | 第39-47页 |
| ·修饰有机分子来调节晶体管的电学行为 | 第39-40页 |
| ·电化学器件方面的应用 | 第40-42页 |
| ·金刚石电化学传感器，检测方面的应用 | 第42-45页 |
| ·在一维半导体表面修饰构筑的传感器件 | 第45-47页 |
| ·本文的主体思想 | 第47-48页 |
| ·参考文献 | 第48-57页 |
| 第二章 偶氮苯单层膜修饰的单晶硅表面导电性调节 | 第57-85页 |
| ·引言 | 第57-59页 |
| ·实验部分 | 第59-64页 |
| ·主要试剂和仪器 | 第59-60页 |
| ·主要试剂 | 第59-60页 |
| ·主要仪器 | 第60页 |
| ·末端炔基偶氮苯的合成与表征技术 | 第60-62页 |
| ·偶氮苯的光致异构性的表征 | 第62-63页 |
| ·偶氮苯单层膜的制备 | 第63-64页 |
| ·硅(111)表面偶氮苯单层膜的可逆光致异构化效应 | 第64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-79页 |
| ·偶氮苯单层膜的制备 | 第64-65页 |
| ·接触角表征单层膜的光致异构性 | 第65页 |
| ·DMAEAB单层膜的光电子能谱（XPS）表征 | 第65-66页 |
| ·XPS 定量分析DMAEAB单层膜的接枝率 | 第66-71页 |
| ·DMAEAB单层膜的红外光谱 | 第71-72页 |
| ·DMAEAB单层膜的稳定性 | 第72-73页 |
| ·偶氮苯单层膜光致异构前后的形貌变化 | 第73-75页 |
| ·偶氮苯单层膜光致异构前后的电学表现 | 第75-77页 |
| ·DMAEAB修饰的硅表面的模拟结果 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| ·参考文献 | 第80-85页 |
| 第三章 偶氮苯修饰的导电金刚石薄膜的制备、表征及光电化学行为 | 第85-108页 |
| ·引言 | 第85-88页 |
| ·实验部分 | 第88-92页 |
| ·主要试剂和仪器 | 第88-90页 |
| ·主要试剂 | 第88-89页 |
| ·主要仪器及设备 | 第89-90页 |
| ·金刚石膜的制备 | 第90-91页 |
| ·偶氮苯光致异构性的表征 | 第91-92页 |
| ·金刚石表面DOAA单层膜的制备 | 第92页 |
| ·金刚石表面偶氮苯单层膜的可逆光致使异构效应 | 第92页 |
| ·结果与讨论 | 第92-102页 |
| ·金刚石薄膜的制备、表征与测试 | 第92-96页 |
| ·金刚石表面DOAA单层膜的制备 | 第96-97页 |
| ·接触角表征DOAA单层膜的异构效应 | 第97页 |
| ·DOAA单层膜的光电子能谱（XPS） | 第97-98页 |
| ·DOAA单层膜的红外光谱(IR) | 第98-100页 |
| ·DOAA单层膜稳定性 | 第100页 |
| ·DOAA单层膜光电化学性能 | 第100-102页 |
| ·结论 | 第102页 |
| ·参考文献 | 第102-108页 |
| 第四章 单晶硅表面化学修饰的聚丁二炔阵列的制备及其荧光图案化 | 第108-129页 |
| ·引言 | 第108-111页 |
| ·实验部分 | 第111-115页 |
| ·主要试剂和仪器 | 第111-112页 |
| ·主要试剂 | 第111页 |
| ·主要仪器 | 第111-112页 |
| ·丁二炔的合成与表征 | 第112-114页 |
| ·丁二炔单层膜的制备 | 第114-115页 |
| ·聚丁二炔阵列的制备 | 第115页 |
| ·结果与讨论 | 第115-123页 |
| ·丁二炔的光学性能 | 第115-116页 |
| ·单层膜的制备与表征 | 第116-120页 |
| ·DA-4AS单层膜的制备 | 第116-117页 |
| ·膜的高度与倾斜角 | 第117页 |
| ·膜的光电子能谱 | 第117-118页 |
| ·膜的红外光谱 | 第118-120页 |
| ·阵列的制备及阵列的形态 | 第120-122页 |
| ·阵列的荧光图案化 | 第122-123页 |
| ·结论 | 第123页 |
| ·参考文献 | 第123-129页 |
| 结论 | 第129-132页 |
| 攻读博士期间论文发表情况 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
