| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·碳化硅的发展历史 | 第7-8页 |
| ·碳化硅研究现状 | 第8-9页 |
| ·课题的研究工作 | 第9-10页 |
| 第二章 碳化硅的晶体结构及缺陷种类 | 第10-19页 |
| ·晶体结构 | 第10-12页 |
| ·碳化硅晶体中的缺陷 | 第12-19页 |
| ·刃位错 | 第12-13页 |
| ·螺位错 | 第13-14页 |
| ·混合位错 | 第14页 |
| ·Frank-Read 位错源 | 第14-15页 |
| ·层错 | 第15页 |
| ·微管 | 第15-19页 |
| 第三章 碳化硅的生长方法及其物理性能 | 第19-27页 |
| ·碳化硅的生长机制和生长方法 | 第19-23页 |
| ·生长机制 | 第19页 |
| ·生长方法 | 第19-23页 |
| ·碳化硅单晶的性质 | 第23-27页 |
| ·碳化硅单晶的电学性能 | 第23-25页 |
| ·碳化硅的光学性质 | 第25-27页 |
| 第四章 碳化硅微管的形成和分布机理 | 第27-48页 |
| ·用高分辨X 光衍射仪对晶体品质进行表征 | 第27-30页 |
| ·用 Raman 光谱表征6H-SiC 的多型结构 | 第30-31页 |
| ·微管和其他缺陷的形貌表征 | 第31-39页 |
| ·湿法腐蚀 | 第31-32页 |
| ·用扫描电镜对样品进行表征 | 第32-35页 |
| ·用光学显微镜观察的微管形貌 | 第35-37页 |
| ·六角形空洞的生长以及诱发的微管 | 第37-39页 |
| ·微管分布计算实验 | 第39-48页 |
| ·用体式光学显微镜对碳化硅单晶中的微管进行观察 | 第39-42页 |
| ·6H-SiC 单晶片上微管的分布 | 第42-46页 |
| ·6H-SiC 微管孔径分布研究 | 第46-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 研究成果 | 第55-56页 |