| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-18页 |
| 1.研究背景 | 第8-14页 |
| ·太阳电池概述 | 第8-9页 |
| ·太阳电池研究方向 | 第9-11页 |
| ·透明导电氧化物 | 第11-12页 |
| ·Ⅲ-V族多结太阳电池 | 第12-13页 |
| ·太阳电池辐照研究 | 第13-14页 |
| 2.本论文的工作 | 第14-16页 |
| ·IMO/Si接触特性研究 | 第14页 |
| ·GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池质子辐照引入缺陷研究 | 第14-15页 |
| ·质子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的阻抗谱表征 | 第15-16页 |
| 3.参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 IMO/Si接触特性研究 | 第18-43页 |
| 1.研究背景 | 第18-24页 |
| ·IMO特点 | 第18-20页 |
| ·异质结理论 | 第20-23页 |
| ·异质结测试方法 | 第23-24页 |
| 2.实验 | 第24-26页 |
| ·样品制备 | 第24-25页 |
| ·测试系统 | 第25-26页 |
| 3.结果与讨论 | 第26-35页 |
| ·I-V、C-V特性 | 第26-29页 |
| ·接触能带图 | 第29-31页 |
| ·I_0-T测试结果 | 第31-32页 |
| ·光电流谱 | 第32-35页 |
| 4.IMO/p-Si导带模拟计算 | 第35-39页 |
| ·算法 | 第35-37页 |
| ·计算结果与讨论 | 第37-39页 |
| 5.总结 | 第39-40页 |
| 6.参考文献 | 第40-43页 |
| 第三章 质子辐照在GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池产生的缺陷研究 | 第43-86页 |
| 1.研究背景 | 第43-62页 |
| ·太阳电池工作原理 | 第43-45页 |
| ·粒子辐照太阳电池 | 第45-50页 |
| ·DLTS方法 | 第50-59页 |
| ·热发射理论 | 第50-53页 |
| ·DLTS实验方法 | 第53-58页 |
| ·Laplace DLTS介绍 | 第58-59页 |
| ·ODLTS方法 | 第59-62页 |
| 2.实验 | 第62-71页 |
| ·样品 | 第62-64页 |
| ·SRIM软件 | 第64-65页 |
| ·I-V工作特性测试 | 第65-66页 |
| ·ODLTS测试系统 | 第66-68页 |
| ·ODLTS实验方法 | 第68-71页 |
| 3.结果与讨论 | 第71-82页 |
| ·SRIM模拟 | 第71-72页 |
| ·I-V工作特性 | 第72-73页 |
| ·ODLTS结果 | 第73-82页 |
| 4.总结 | 第82-83页 |
| 5.参考文献 | 第83-86页 |
| 第四章 质子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池退化特性的阻抗谱表征 | 第86-109页 |
| 1.研究背景 | 第86-96页 |
| ·多结电池辐照退化现象表征 | 第86-90页 |
| ·阻抗谱方法 | 第90-96页 |
| 2.实验 | 第96-99页 |
| ·样品与等效电路 | 第96-97页 |
| ·测试系统 | 第97-98页 |
| ·实验原理 | 第98-99页 |
| 3.结果与讨论 | 第99-106页 |
| ·SRIM模拟 | 第99-100页 |
| ·阻抗谱结果 | 第100-105页 |
| ·退化表征 | 第105-106页 |
| 4.总结 | 第106-107页 |
| 5.参考文献 | 第107-109页 |
| 在学期间发表论文(第一作者) | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
