| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-18页 |
| ·课题背景 | 第8页 |
| ·ZnO的结构和基本属性 | 第8-10页 |
| ·本征ZnO中的缺陷 | 第10-13页 |
| ·本征ZnO中的点缺陷以及其能级 | 第10-12页 |
| ·自补偿效应 | 第12页 |
| ·本征ZnO中自补偿效应的主要缺陷 | 第12-13页 |
| ·p型ZnO薄膜研究现状 | 第13-18页 |
| ·衬底 | 第14页 |
| ·掺杂元素 | 第14-18页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备和表征方法 | 第18-41页 |
| ·常用ZnO薄膜的制备方法 | 第18-26页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第18-21页 |
| ·ZnO的其它制备方法简介 | 第21-26页 |
| ·等离子体浸没注入技术(Plasma Ion Immersion Implatation,PⅢ) | 第26-33页 |
| ·PⅢ方法简介 | 第26-27页 |
| ·PⅢ实验装置介绍 | 第27-33页 |
| ·快速热退火(Rapid Thermal Annealing) | 第33-34页 |
| ·表征方法 | 第34-41页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第34-35页 |
| ·原子力显微术 | 第35-36页 |
| ·X射线衍射技术 | 第36-37页 |
| ·二次离子质谱仪 | 第37-39页 |
| ·霍尔效应测试 | 第39-40页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第40-41页 |
| 第三章 ZnO薄膜的制备及实验内容 | 第41-45页 |
| ·PLD法制备ZnO薄膜工艺流程 | 第42-43页 |
| ·等离子体浸没注入的实验流程 | 第43页 |
| ·退火实验流程 | 第43页 |
| ·实验内容 | 第43-45页 |
| 第四章 ZnO靶材纯度和衬底对ZnO薄膜的影响 | 第45-52页 |
| ·实验过程 | 第45-46页 |
| ·实验结果分析 | 第46-50页 |
| ·微观表面形貌与晶体结构 | 第46-47页 |
| ·电学性能 | 第47-48页 |
| ·讨论 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 磷掺杂对ZnO结构和性能的影响 | 第52-63页 |
| ·磷掺杂浓度对ZnO结构和电学性能的影响 | 第52-56页 |
| ·实验过程 | 第52-53页 |
| ·实验结果分析 | 第53-56页 |
| ·退火温度对磷掺杂ZnO结构和电学性能的影响 | 第56-59页 |
| ·实验过程 | 第57页 |
| ·实验结果分析 | 第57-59页 |
| ·退火时间对磷掺杂ZnO结构和电学性能的影响 | 第59-62页 |
| ·实验过程 | 第59-60页 |
| ·实验结果分析 | 第60-62页 |
| ·木章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 PⅢ注N对ZnO结构和性能的影响 | 第63-70页 |
| ·N注入剂量对ZnO的影响 | 第63-66页 |
| ·实验过程 | 第63-64页 |
| ·实验结果分析 | 第64-66页 |
| ·退火气氛对注N掺杂ZnO的影响 | 第66-68页 |
| ·实验过程 | 第66-67页 |
| ·实验结果分析 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第七章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |