| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-25页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·SnO_2陶瓷材料的研究状况 | 第15-23页 |
| ·SnO_2的基本性质 | 第15-16页 |
| ·SnO_2陶瓷材料 | 第16-23页 |
| ·纯SnO_2陶瓷的烧结特性 | 第16-18页 |
| ·SnO_2基陶瓷的烧结致密化 | 第18-20页 |
| ·采用化学方法合成的含掺杂物的超细混合粉末 | 第18-19页 |
| ·选择特殊的烧结制备工艺 | 第19页 |
| ·添加合适的烧结助剂体系改善SnO_2的烧结特性 | 第19-20页 |
| ·SnO_2基陶瓷的电学性能 | 第20-23页 |
| ·纯SnO_2的半导体特性 | 第20-21页 |
| ·掺杂对SnO_2的半导体特性的影响 | 第21-23页 |
| ·论文工作的提出与研究目的、意义 | 第23-25页 |
| 第2章 纯SnO_2陶瓷靶材的制备、烧结机理与电性能研究 | 第25-55页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·实验与测试 | 第25-35页 |
| ·实验原料 | 第25-27页 |
| ·实验设计与工艺过程 | 第27-29页 |
| ·测试方法 | 第29-34页 |
| ·密度 | 第29页 |
| ·微观结构 | 第29页 |
| ·物相组成 | 第29-30页 |
| ·结构精修 | 第30页 |
| ·成分分析 | 第30页 |
| ·材料电阻率的测量 | 第30-31页 |
| ·载流子浓度和迁移率的测量 | 第31-34页 |
| ·全谱拟合分析介绍 | 第34-35页 |
| ·Rietveld方法 | 第34页 |
| ·Rietveld方法的计算 | 第34-35页 |
| ·纯SnO_2陶瓷的致密化 | 第35-49页 |
| ·烧结温度对纯SnO_2陶瓷致密度的影响 | 第35-37页 |
| ·纯SnO_2陶瓷的烧结压力 | 第37页 |
| ·纯SnO_2陶瓷SPS烧结的升温速率 | 第37-38页 |
| ·纯SnO_2陶瓷SPS烧结保温时间 | 第38-39页 |
| ·纯SnO_2陶瓷的显微结构 | 第39-42页 |
| ·纯SnO_2陶瓷的SPS致密化机理 | 第42-46页 |
| ·热处理对SPS烧结SnO_2陶瓷的影响 | 第46-49页 |
| ·无压法烧结SnO_2陶瓷靶材 | 第49-51页 |
| ·SPS烧结纯SnO_2陶瓷靶材的电性能 | 第51-53页 |
| ·小结 | 第53-55页 |
| 第3章 Sb_2O_3掺杂SnO_2陶瓷靶材的制备、烧结机理与性能研究 | 第55-83页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·实验与测试 | 第56-60页 |
| ·实验原料 | 第56-57页 |
| ·实验设计与工艺过程 | 第57-59页 |
| ·测试方法 | 第59-60页 |
| ·密度 | 第59页 |
| ·微观结构 | 第59页 |
| ·物相组成 | 第59页 |
| ·结构精修 | 第59页 |
| ·成分分析 | 第59页 |
| ·峰拟合中的一些基本原则 | 第59-60页 |
| ·材料电阻率的测量 | 第60页 |
| ·ATO复合粉体的SPS烧结 | 第60-68页 |
| ·烧结温度对ATO陶瓷烧结致密度的影响 | 第60-62页 |
| ·Sb_2O_3掺杂量对ATO陶瓷烧结致密度的影响 | 第62页 |
| ·ATO陶瓷样品的显微结构 | 第62-64页 |
| ·ATO陶瓷样品的SPS致密化机理 | 第64-68页 |
| ·SPS烧结工艺对ATO陶瓷电性能的影响 | 第68-78页 |
| ·Sb_2O_3含量对ATO陶瓷电性能的影响 | 第68-72页 |
| ·烧结温度对ATO陶瓷电性能的影响 | 第72-73页 |
| ·ATO陶瓷的导电机理 | 第73-74页 |
| ·热处理工艺对ATO陶瓷电性能的影响 | 第74-78页 |
| ·ATO复合粉体的无压烧结 | 第78-81页 |
| ·Sb_2O_3含量对ATO陶瓷致密度的影响 | 第78页 |
| ·Sb_2O_3含量对ATO陶瓷显微结构的影响 | 第78-79页 |
| ·Sb_2O_3含量对ATO陶瓷电阻率的影响 | 第79-81页 |
| ·小结 | 第81-83页 |
| 第4章 半湿法制备SnO_2-ZnO、SnO_2-Sb_2O_3、SnO_2-ZnO-Sb_2O_3纳米粉体及其靶材的制备与性能研究 | 第83-122页 |
| ·引言 | 第83页 |
| ·实验与设计 | 第83-86页 |
| ·实验原料 | 第83-84页 |
| ·实验设计与工艺过程 | 第84页 |
| ·测试方法 | 第84-86页 |
| ·密度 | 第84页 |
| ·微观结构 | 第84-85页 |
| ·物相组成 | 第85-86页 |
| ·结构精修 | 第86页 |
| ·成分分析 | 第86页 |
| ·材料电阻率测量 | 第86页 |
| ·半湿法粉体的制备 | 第86-96页 |
| ·理论分析 | 第88-89页 |
| ·SnO_2-ZnO物相分析 | 第89-90页 |
| ·SnO_2-Sb_2O_3物相分析 | 第90-94页 |
| ·掺Sb量对粉体物相的影响 | 第90-91页 |
| ·煅烧温度对粉体Sb价态的影响 | 第91-94页 |
| ·SnO_2-ZnO-Sb_2O_3复合粉体物相分析 | 第94-96页 |
| ·SPS制备掺杂ZnO的SnO_2陶瓷 | 第96-102页 |
| ·烧结温度对SnO_2-ZnO陶瓷致密度影响 | 第96页 |
| ·ZnO掺杂量对SnO_2-ZnO陶瓷致密度影响 | 第96-97页 |
| ·掺杂ZnO的SnO_2陶瓷的物相分析 | 第97-98页 |
| ·掺杂ZnO的SnO_2陶瓷的微观结构分析 | 第98-102页 |
| ·AZO陶瓷靶材的室温电阻率 | 第102页 |
| ·掺杂Sb_2O_3的SnO_2陶瓷的制备 | 第102-115页 |
| ·烧结温度对ATO陶瓷致密度影响 | 第102-103页 |
| ·掺杂量对ATO陶瓷致密度影响 | 第103-104页 |
| ·ATO陶瓷的物相分析 | 第104页 |
| ·ATO陶瓷的显微结构 | 第104-106页 |
| ·半湿法ATO陶瓷靶材的电学性能 | 第106-115页 |
| ·半湿法ATO陶瓷靶材的室温电阻率 | 第106-110页 |
| ·Sb_2O_3对半湿法ATO陶瓷靶材的温阻特性影响 | 第110-111页 |
| ·SPS制备ATO陶瓷的导电机理 | 第111-115页 |
| ·SPS制备AZTO陶瓷靶材 | 第115-120页 |
| ·烧结温度对AZTO陶瓷靶材致密度的影响 | 第115-116页 |
| ·Sb掺杂量对AZTO陶瓷的致密度影响 | 第116页 |
| ·SnO_2-ZnO-Sb_2O_3陶瓷的显微结构 | 第116-118页 |
| ·半湿法AZTO陶瓷靶材的电学性能 | 第118-120页 |
| ·小结 | 第120-122页 |
| 第5章 结论 | 第122-125页 |
| 参考文献 | 第125-133页 |
| 致谢 | 第133页 |
