| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| ·课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| ·三维有序大孔材料简介 | 第11-17页 |
| ·三维有序大孔材料的制备方法 | 第11-13页 |
| ·三维有序大孔材料的研究进展 | 第13-14页 |
| ·三维有序大孔材料的应用前景 | 第14-15页 |
| ·三维有序大孔材料的光学特性 | 第15-17页 |
| ·Cu_20 半导体材料简介 | 第17-21页 |
| ·Cu_20 的特性 | 第17页 |
| ·Cu_20 的应用前景 | 第17-19页 |
| ·Cu_20 薄膜的制备方法 | 第19-21页 |
| ·本课题的主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 实验材料及测试方法 | 第22-29页 |
| ·实验原料和仪器设备 | 第22-23页 |
| ·主要实验原料 | 第22-23页 |
| ·实验仪器设备 | 第23页 |
| ·实验技术及工艺流程 | 第23-27页 |
| ·胶体晶体模板的制备 | 第23-24页 |
| ·电沉积工艺 | 第24-27页 |
| ·胶体晶体模板的去除 | 第27页 |
| ·测试和表征方法 | 第27-29页 |
| ·扫描电子显微镜和能谱分析 | 第27页 |
| ·原子力显微镜 | 第27页 |
| ·X-射线衍射 | 第27-28页 |
| ·X-射线光电子能谱 | 第28页 |
| ·电化学测试 | 第28页 |
| ·紫外-可见-红外联用分光光度系统 | 第28页 |
| ·光纤光谱仪 | 第28-29页 |
| 第3章 电沉积Cu_20 薄膜及其表征 | 第29-42页 |
| ·电沉积所得Cu_20 薄膜成分分析 | 第29-34页 |
| ·EDS 分析 | 第29-30页 |
| ·XRD 分析 | 第30-31页 |
| ·XPS 分析 | 第31-34页 |
| ·电沉积Cu_20 的电化学行为研究 | 第34-36页 |
| ·电沉积过程的循环伏安特性分析 | 第34-35页 |
| ·电沉积过程的电流-时间曲线 | 第35-36页 |
| ·电沉积工艺参数对薄膜形貌的影响 | 第36-39页 |
| ·pH 的影响 | 第36-38页 |
| ·沉积电位的影响 | 第38-39页 |
| ·电解液温度的影响 | 第39页 |
| ·电沉积Cu_20 薄膜的AFM 分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 3DOM Cu_20 薄膜的制备及其表征 | 第42-56页 |
| ·PS/Cu_20 复合薄膜研究 | 第42-45页 |
| ·SEM 分析 | 第42-43页 |
| ·光谱分析 | 第43-45页 |
| ·胶体晶体模板对3DOM Cu_20 薄膜形貌的影响 | 第45-48页 |
| ·PS 微球粒径的影响 | 第45-46页 |
| ·PS 排列方式的影响 | 第46-47页 |
| ·模板缺陷的影响 | 第47-48页 |
| ·电沉积工艺对3DOM Cu_20 薄膜形貌的影响 | 第48-51页 |
| ·沉积时间的影响 | 第48-49页 |
| ·沉积电位的影响 | 第49-50页 |
| ·电解液温度的影响 | 第50-51页 |
| ·3DOM Cu_20 薄膜的AFM 分析 | 第51-52页 |
| ·3DOM Cu_20 薄膜的光谱特性研究 | 第52-55页 |
| ·特定入射角下反射光强沿角度分布 | 第52-53页 |
| ·不同入射角情况下带隙位置的变化 | 第53-54页 |
| ·模板/复合结构/3DOM 结构/Cu_20 薄膜反射光谱对比 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
