ZnO阻变存储器的实验与数值模拟研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 存储器的瓶颈与未来 | 第9-12页 |
| 1.1.1 主流存储器的瓶颈 | 第9页 |
| 1.1.2 新型非易失性存储器 | 第9-12页 |
| 1.2 阻变存储器的概述 | 第12-16页 |
| 1.2.1 阻变存储器的起源与现状 | 第12-14页 |
| 1.2.2 阻变存储器的分类 | 第14-15页 |
| 1.2.3 阻变存储器的性能评价指标 | 第15-16页 |
| 1.3 选题意义与研究内容 | 第16-19页 |
| 1.3.1 阻变功能层材料的选择 | 第16页 |
| 1.3.2 电极材料的选择 | 第16-17页 |
| 1.3.3 数值模拟的意义 | 第17页 |
| 1.3.4 章节安排与研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 阻变存储器的制备与表征 | 第19-25页 |
| 2.1 溶胶凝胶法简介 | 第19-20页 |
| 2.1.1 溶胶凝胶法的化学反应过程 | 第19页 |
| 2.1.2 溶胶凝胶法的优缺点 | 第19-20页 |
| 2.2 电子束蒸发法简介 | 第20-21页 |
| 2.3 ZnO阻变存储器的制备 | 第21-22页 |
| 2.3.1 前驱液的配制 | 第21页 |
| 2.3.2 衬底的清洗 | 第21页 |
| 2.3.3 旋涂与电子束蒸镀 | 第21-22页 |
| 2.4 材料的表征与电学性能测试 | 第22-25页 |
| 2.4.1 原子力显微镜 | 第22-23页 |
| 2.4.2 紫外光电子能谱 | 第23-24页 |
| 2.4.3 半导体分析仪 | 第24-25页 |
| 第三章 ZnO阻变存储器制备参数的优化 | 第25-38页 |
| 3.1 制备参数对ZnO薄膜形貌的影响 | 第25-28页 |
| 3.1.1 前驱物浓度对ZnO薄膜形貌的影响 | 第25-27页 |
| 3.1.2 旋涂转速对ZnO薄膜形貌的影响 | 第27-28页 |
| 3.2 制备参数对阻变特性的影响 | 第28-34页 |
| 3.2.1 前驱物浓度对阻变特性的影响 | 第28-30页 |
| 3.2.2 旋涂转速对阻变特性的影响 | 第30-31页 |
| 3.2.3 退火温度对阻变特性的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.4 退火氛围对阻变特性的影响 | 第32-34页 |
| 3.3 最优的溶胶凝胶法制备参数 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 导电机理与数值模拟 | 第38-46页 |
| 4.1 Poole-Frenkel效应电流 | 第38-39页 |
| 4.2 空间电荷限制电流 | 第39页 |
| 4.3 ZnO阻变存储器的导电机理 | 第39-40页 |
| 4.4 数值模拟 | 第40-45页 |
| 4.4.1 网格划分 | 第40-41页 |
| 4.4.2 氧空位的产生与复合 | 第41-42页 |
| 4.4.3 温度与电势分布 | 第42页 |
| 4.4.4 数值模拟流程 | 第42-43页 |
| 4.4.5 数值模拟结果分析 | 第43-45页 |
| 4.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 渗透模型 | 第46-56页 |
| 5.1 氧空位浓度与电导的关系 | 第46-49页 |
| 5.2 模型的优化 | 第49-51页 |
| 5.3 模拟结果分析 | 第51页 |
| 5.4 导电细丝的生长过程 | 第51-53页 |
| 5.5 导电细丝尺寸对阻变特性的影响 | 第53-55页 |
| 5.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 6.1 研究工作的总结 | 第56页 |
| 6.2 未来工作的展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 在学期间的研究成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
