| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1.绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 薄膜太阳能电池简介 | 第11-22页 |
| 1.2.1 薄膜太阳能电池工作原理 | 第11-13页 |
| 1.2.2 薄膜太阳能电池分类 | 第13-22页 |
| 1.2.3 理想的薄膜太阳能电池吸收层 | 第22页 |
| 1.3 硫化锑薄膜太阳能电池 | 第22-33页 |
| 1.3.1 硫化锑材料的特性 | 第22-24页 |
| 1.3.2 硫化锑薄膜的制备方法 | 第24-26页 |
| 1.3.3 硫化锑薄膜电池的器件结构 | 第26-27页 |
| 1.3.4 硫化锑薄膜电池的发展历史 | 第27-33页 |
| 1.4 本文选题依据和主要研究内容 | 第33-35页 |
| 1.4.1 本文的选题依据 | 第33-34页 |
| 1.4.2 本文的主要研究 | 第34-35页 |
| 2.硫化锑薄膜的RTE制备和晶体生长取向控制 | 第35-55页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 实验部分 | 第36-39页 |
| 2.2.1 硫化镉缓冲层沉积及后处理 | 第36-37页 |
| 2.2.2 Sb_2S_3薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 2.2.3 Sb_2S_3薄膜电池组装 | 第38页 |
| 2.2.4 表征和测试 | 第38-39页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第39-53页 |
| 2.3.1 Sb_2S_3的晶体结构和饱和蒸气压 | 第39-40页 |
| 2.3.2 Sb_2S_3薄膜物相表征 | 第40-43页 |
| 2.3.3 Sb_2S_3电池的能带结构和器件结构 | 第43-44页 |
| 2.3.4 不同结晶性Sb_2S_3薄膜对器件性能的影响 | 第44-46页 |
| 2.3.5 不同生长取向对Sb_2S_3薄膜对器件性能的影响 | 第46-51页 |
| 2.3.6 Sb_2S_3薄膜电池的物理特性 | 第51-53页 |
| 2.3.7 Sb_2S_3薄膜电池的稳定性研究 | 第53页 |
| 2.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 3.硫化锑薄膜电池的缺陷钝化和背接触改善 | 第55-77页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 实验部分 | 第56-58页 |
| 3.2.1 Sb_2S_3薄膜的制备及后处理 | 第56-57页 |
| 3.2.2 Sb_2S_3薄膜电池组装 | 第57页 |
| 3.2.3 表征和测试 | 第57-58页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第58-76页 |
| 3.3.1 Sb_2S_3电池中的缺陷和背接触问题 | 第58页 |
| 3.3.2 不同退火处理对Sb_2S_3电池的影响 | 第58-61页 |
| 3.3.3 后硒化退火对Sb_2S_3电池的影响 | 第61-63页 |
| 3.3.4 后硒化退火过程中Sb_2S_3薄膜物相及形貌的变化 | 第63-68页 |
| 3.3.5 不同后硒化退火温度对硫化锑电池的影响 | 第68-69页 |
| 3.3.6 后硒化退火处理提升硫化锑电池性能的物理机制 | 第69-75页 |
| 3.3.7 后硒化退火处理后的硫化锑电池的稳定性 | 第75-76页 |
| 3.4 本章小结 | 第76-77页 |
| 4.硫化锑薄膜电池的光谱有效扩展 | 第77-97页 |
| 4.1 引言 | 第77-78页 |
| 4.2 实验部分 | 第78-80页 |
| 4.2.1 SnO_2的制备 | 第78-79页 |
| 4.2.2 CdS的制备及后处理 | 第79页 |
| 4.2.3 硫化锑层和合金层制备 | 第79-80页 |
| 4.2.4 Sb_2S_3薄膜电池组装 | 第80页 |
| 4.2.5 表征和测试 | 第80页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第80-95页 |
| 4.3.1 Sb_2S_3电池在短波方向的吸收增强探索 | 第80-82页 |
| 4.3.2 Sb_2(S_xSe_(1-x))_3合金的分析表征 | 第82-84页 |
| 4.3.3 Sb_2(S_xSe_(1-x))_3/Sb_2S_3双吸收层的分析表征 | 第84-85页 |
| 4.3.4 不同成分组成的合金相对双吸收层电池的性能影响 | 第85-93页 |
| 4.3.5 Sb_2(S_(0.34)Se_(0.66))_3/Sb_2S_3器件性能提升的机理 | 第93-95页 |
| 4.4 本章小结 | 第95-97页 |
| 5.改善硫化锑薄膜结晶性的探索 | 第97-109页 |
| 5.1 引言 | 第97-98页 |
| 5.2 实验部分 | 第98-100页 |
| 5.2.1 非晶硫化锑薄膜的制备 | 第98页 |
| 5.2.2 CdS的制备及后处理 | 第98-99页 |
| 5.2.3 非晶硫化锑薄膜的后退火处理 | 第99页 |
| 5.2.4 Sb_2S_3薄膜电池组装 | 第99-100页 |
| 5.2.5 表征和测试 | 第100页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第100-108页 |
| 5.3.1 非晶硫化锑薄膜表征 | 第100-101页 |
| 5.3.2 退火以及硫化对硫化锑薄膜和器件性能的影响 | 第101-103页 |
| 5.3.3 硒化处理对硫化锑薄膜和器件性能的影响 | 第103-108页 |
| 5.4 本章小结 | 第108-109页 |
| 6.总结和展望 | 第109-113页 |
| 6.1 研究内容总结 | 第109-110页 |
| 6.2 主要创新点 | 第110-111页 |
| 6.3 下一步研究工作展望 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 参考文献 | 第115-129页 |
| 附录1 攻读博士期间发表的论文 | 第129-130页 |
| 附录2 攻读博士期间所获奖励 | 第130页 |
