| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第14-49页 |
| 1.1 超薄二维纳米材料简介 | 第14-15页 |
| 1.2 二维过渡金属硫化物(TMDs) | 第15-29页 |
| 1.2.1 二维TMDs材料概述 | 第15-20页 |
| 1.2.2 二硫化钼(MoS_2)的结构和性质 | 第20-22页 |
| 1.2.3 二硒化铂(PtSe_2)的结构和性质 | 第22-23页 |
| 1.2.4 二维MoS_2、PtSe_2 薄膜的应用 | 第23-29页 |
| 1.3 基于二维TMDs的光电探测器 | 第29-39页 |
| 1.3.1 基于二维TMDs的光电导型探测器 | 第30-34页 |
| 1.3.2 基于二维TMDs的光电二极管型探测器 | 第34-39页 |
| 1.4 宽禁带半导体在光电探测器中的应用 | 第39-41页 |
| 1.5 本课题的研究思路和内容 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-49页 |
| 2 二维TMDs薄膜的制备及表征 | 第49-72页 |
| 2.1 二维TMDs薄膜的制备方法 | 第49-57页 |
| 2.1.1 机械剥离法 | 第49-50页 |
| 2.1.2 锂离子插层法 | 第50-51页 |
| 2.1.3 液相超声法 | 第51-52页 |
| 2.1.4 分子束外延法 | 第52-53页 |
| 2.1.5 化学气相沉积法 | 第53-54页 |
| 2.1.6 两步热分解法 | 第54-56页 |
| 2.1.7 硫/硒化法 | 第56-57页 |
| 2.2 大面积二维MoS_2 薄膜的制备和表征 | 第57-64页 |
| 2.2.1 实验所用的仪器和试剂 | 第57-58页 |
| 2.2.2 二维MoS_2 薄膜的制备 | 第58-60页 |
| 2.2.3 二维MoS_2 薄膜的表征 | 第60-64页 |
| 2.3 大面积二维PtSe_2 薄膜的制备和表征 | 第64-68页 |
| 2.3.1 二维PtSe_2 薄膜的制备 | 第64-65页 |
| 2.3.2 二维PtSe_2 薄膜的表征 | 第65-68页 |
| 2.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 3 MoS_2/GaN异质结紫外光电探测器 | 第72-90页 |
| 3.1 引言 | 第72-73页 |
| 3.2 MoS_2/GaN异质结紫外光电探测器的制备 | 第73-75页 |
| 3.3 MoS_2/GaN异质结紫外光电探测器的性能表征 | 第75-85页 |
| 3.3.1 测试所用的主要仪器 | 第75-76页 |
| 3.3.2 MoS_2/GaN异质结紫外光电探测器的性能表征 | 第76-85页 |
| 3.4 本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 4 PtSe_2/GaN异质结紫外光电探测器 | 第90-106页 |
| 4.1 引言 | 第90-91页 |
| 4.2 PtSe_2/GaN异质结紫外光电探测器的制备 | 第91-92页 |
| 4.3 PtSe_2/GaN异质结紫外光电探测器的性能表征 | 第92-101页 |
| 4.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-106页 |
| 5 MoS_2/β-Ga_2O_3 异质结日盲光电探测器 | 第106-121页 |
| 5.1 引言 | 第106-108页 |
| 5.2 MoS_2/β-Ga_2O_3 异质结日盲光电探测器的制备 | 第108-110页 |
| 5.3 MoS_2/β-Ga_2O_3 异质结日盲光电探测器的性能表征 | 第110-117页 |
| 5.4 本章小结 | 第117页 |
| 参考文献 | 第117-121页 |
| 6 总结和展望 | 第121-123页 |
| 6.1 总结 | 第121-122页 |
| 6.2 展望 | 第122-123页 |
| 博士期间完成的论文情况 | 第123-124页 |
| 致谢 | 第124页 |
