| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-25页 |
| 1.1 钙钛矿型结构 | 第12-13页 |
| 1.2 铁电现象及铁电材料 | 第13-16页 |
| 1.2.1 晶体的对称性 | 第13-14页 |
| 1.2.2 铁电晶体的基本特征 | 第14-15页 |
| 1.2.3 铁电材料的物理性质 | 第15-16页 |
| 1.3 钙钛矿型无铅铁电材料 | 第16-17页 |
| 1.4 碱金属铌酸盐压电陶瓷 | 第17-22页 |
| 1.4.1 铌酸钾钠陶瓷简介 | 第17-18页 |
| 1.4.2 多晶型相变 | 第18页 |
| 1.4.3 碱金属铌酸盐压电陶瓷的研究现状 | 第18-22页 |
| 1.5 铁电光伏材料 | 第22-23页 |
| 1.5.1 铁电材料的光伏原理 | 第22-23页 |
| 1.5.2 铁电光伏薄膜的研究现状 | 第23页 |
| 1.6 选题思路及主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第2章 材料制备及表征方法 | 第25-35页 |
| 2.1 实验内容 | 第25页 |
| 2.2 压电陶瓷的制备工艺 | 第25-29页 |
| 2.3 铁电光伏薄膜的制备 | 第29-31页 |
| 2.3.1 脉冲激光沉积技术 | 第29-30页 |
| 2.3.2 KBNNO铁电光伏薄膜的制备工艺 | 第30-31页 |
| 2.4 压电陶瓷以及铁电光伏薄膜的表征手段 | 第31-35页 |
| 2.4.1 压电、介电、铁电参数及其测量 | 第31-32页 |
| 2.4.2 相结构及微观结构测试 | 第32-33页 |
| 2.4.3 成分测试 | 第33页 |
| 2.4.4 光学带隙测试 | 第33-35页 |
| 第3章 铌酸盐无铅压电陶瓷表面相与体相结构的研究 | 第35-43页 |
| 3.1 前言 | 第35页 |
| 3.2 实验方法 | 第35-36页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第36-42页 |
| 3.3.1 不同厚度下相结构的讨论 | 第36-37页 |
| 3.3.2 应力对陶瓷相结构的影响 | 第37-40页 |
| 3.3.3 成分对陶瓷相结构的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 三价过渡金属掺杂铌酸盐陶瓷的研究 | 第43-56页 |
| 4.1 前言 | 第43页 |
| 4.2 实验方法 | 第43-44页 |
| 4.3 Ni_2O_3掺杂铌酸盐陶瓷相结构及显微结构 | 第44-47页 |
| 4.3.1 Ni_2O_3掺杂铌酸盐陶瓷相结构 | 第44-45页 |
| 4.3.2 Ni_2O_3掺杂铌酸盐陶瓷显微结构 | 第45-47页 |
| 4.4 Ni_2O_3掺杂铌酸盐陶瓷压电介电铁电性能 | 第47-51页 |
| 4.5 Co_2O_3掺杂铌酸盐陶瓷相结构及显微结构 | 第51-52页 |
| 4.5.1 Co_2O_3掺杂铌酸盐陶瓷相结构 | 第51-52页 |
| 4.5.2 Co_2O_3掺杂铌酸盐陶瓷显微结构 | 第52页 |
| 4.6 Co_2O_3掺杂铌酸盐陶瓷压电介电铁电性能 | 第52-54页 |
| 4.7 三价过渡金属氧化物掺杂效果差异对比 | 第54页 |
| 4.8 本章小结 | 第54-56页 |
| 第5章 K_(5.4)Cu_(1.3)Ta_(10)O_(29)掺杂铌酸盐无铅压电陶瓷的研究 | 第56-62页 |
| 5.1 前言 | 第56页 |
| 5.2 实验方法 | 第56-57页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第57-60页 |
| 5.3.1 KCT掺杂对KNLNST+0.05 Ni陶瓷相结构的影响 | 第57-58页 |
| 5.3.2 KCT掺杂对KNLNST+0.05 Ni陶瓷电学性能的影响 | 第58-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第6章 PLD法制备低带隙KBNNO铁电薄膜 | 第62-69页 |
| 6.1 前言 | 第62页 |
| 6.2 实验方法 | 第62-63页 |
| 6.3 实验结果与讨论 | 第63-68页 |
| 6.3.1 沉积氧压对KBNNO薄膜相结构的影响 | 第63-64页 |
| 6.3.2 沉积氧压对KBNNO薄膜形貌的影响 | 第64-65页 |
| 6.3.3 沉积氧压对KBNNO薄膜光学带隙的影响 | 第65-66页 |
| 6.3.4 沉积氧压对KBNNO薄膜成分的影响 | 第66-67页 |
| 6.3.5 KBNNO薄膜铁电性能 | 第67-68页 |
| 6.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 结论与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 附录 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
