| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| 前言 | 第8页 |
| ·二氧化钛的简介 | 第8-11页 |
| ·二氧化钛的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·二氧化钛的光催化原理及过程 | 第9-10页 |
| ·二氧化钛光催化技术的应用 | 第10-11页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第11-15页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第12页 |
| ·化学气相沉积法 | 第12-13页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第13页 |
| ·磁控反应溅射法 | 第13-14页 |
| ·电子束蒸发沉积法 | 第14-15页 |
| ·TiO_2薄膜改性 | 第15-17页 |
| ·金属离子掺杂 | 第15页 |
| ·非金属离子掺杂 | 第15-16页 |
| ·共掺杂 | 第16页 |
| ·与其它半导体的复合 | 第16-17页 |
| ·本文研究的内容 | 第17-18页 |
| 2 薄膜的制备方法及其测试手段 | 第18-30页 |
| ·电子束蒸发沉积法制备薄膜原理及工艺 | 第18-21页 |
| ·电子束蒸发沉积法制备薄膜的工艺原理 | 第18-19页 |
| ·本实验所用设备简介 | 第19-21页 |
| ·制备工艺及实施方案 | 第21-27页 |
| ·实验材料与仪器 | 第21-22页 |
| ·靶材的制备 | 第22-25页 |
| ·工艺流程和实施方案 | 第25-27页 |
| ·薄膜的表征和分析 | 第27-30页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第27页 |
| ·X-射线衍射仪(XRD) | 第27页 |
| ·X射线光电子能谱仪(XPS) | 第27-28页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第28页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第28页 |
| ·紫外-可见分光光度计(UV-Vis) | 第28-29页 |
| ·光化学反应仪 | 第29-30页 |
| 3 金属掺杂TiO_2薄膜的结构和光学性质 | 第30-51页 |
| ·掺杂元素种类对薄膜结构的影响 | 第30-37页 |
| ·薄膜的制备 | 第30页 |
| ·薄膜的Raman光谱分析 | 第30-31页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第31-33页 |
| ·薄膜的XPS分析 | 第33-34页 |
| ·薄膜的AFM分析 | 第34-35页 |
| ·薄膜的UV-Vis分析 | 第35-37页 |
| ·不同基底对薄膜结构的影响 | 第37-40页 |
| ·薄膜的制备 | 第37页 |
| ·薄膜的Raman光谱分析 | 第37-38页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第38页 |
| ·薄膜的AFM和SEM分析 | 第38-40页 |
| ·不同掺杂含量对薄膜结构的影响 | 第40-44页 |
| ·薄膜的制备 | 第40页 |
| ·薄膜的Raman分析 | 第40-42页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第42-43页 |
| ·薄膜的AFM和EDS分析 | 第43-44页 |
| ·不同退火温度对薄膜结构的影响 | 第44-50页 |
| ·薄膜的制备 | 第44-45页 |
| ·薄膜的Raman分析 | 第45-47页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第47-48页 |
| ·薄膜的AFM分析 | 第48-50页 |
| ·本章总结 | 第50-51页 |
| 4 硼元素掺杂TiO_2薄膜的结构和光学性质 | 第51-61页 |
| ·不同基底对薄膜结构的影响 | 第51-56页 |
| ·薄膜的制备 | 第51页 |
| ·薄膜的Raman分析 | 第51-52页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第52-53页 |
| ·薄膜的SEM分析 | 第53页 |
| ·薄膜的EDS和XPS分析 | 第53-55页 |
| ·薄膜的UV-Vis分析 | 第55-56页 |
| ·不同退火温度对薄膜结构的影响 | 第56-60页 |
| ·石英基底 | 第56-59页 |
| ·陶瓷基底 | 第59-60页 |
| ·本章总结 | 第60-61页 |
| 5 TiO_2及其掺杂薄膜的光催化性能的比较 | 第61-68页 |
| ·甲基橙溶液初始浓度对脱色效果的影响 | 第61-62页 |
| ·不同光源对甲基橙溶液脱色效果的影响 | 第62页 |
| ·不同掺杂元素对甲基橙溶液脱色效果的影响 | 第62-64页 |
| ·500W汞灯照射 | 第62-63页 |
| ·500W氙灯照射 | 第63-64页 |
| ·不同基底对甲基橙溶液脱色效果的影响 | 第64-65页 |
| ·掺杂不同含量的Fe-TiO_2薄膜对甲基橙溶液脱色效果的影响 | 第65-66页 |
| ·不同退火温度对甲基橙脱色效果的影响 | 第66-67页 |
| ·本章总结 | 第67-68页 |
| 全文结论 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |