| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 半导体产业的发展与时代背景 | 第17-18页 |
| 1.2 功率器件以及肖特基器件的发展 | 第18-20页 |
| 1.3 本论文工作内容计划与安排 | 第20-23页 |
| 第二章 氮化镓肖特基器件的模型及基础研究方法 | 第23-39页 |
| 2.1 半导体异质结 | 第23-27页 |
| 2.1.1 半导体异质结结构 | 第23页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN异质结的极化现象 | 第23-27页 |
| 2.2 肖特基二极管器件 | 第27-32页 |
| 2.2.1 金半接触介绍 | 第28-32页 |
| 2.3 肖特基接触的电流输运理论 | 第32-35页 |
| 2.3.1 热电子发射电流 | 第33页 |
| 2.3.2 隧穿电流 | 第33-34页 |
| 2.3.3 电子与空穴产生复合电流 | 第34页 |
| 2.3.4 边缘漏泄电流 | 第34-35页 |
| 2.4 实验室计算方法与参数提取 | 第35-38页 |
| 2.5 Silvaco介绍 | 第38-39页 |
| 第三章 肖特基二极管结构分析 | 第39-45页 |
| 3.1 平面结构单层异质结肖特基二极管 | 第39-42页 |
| 3.1.1 肖特基二极管结构设计 | 第39-41页 |
| 3.1.2 肖特基二极管结构参数调整 | 第41-42页 |
| 3.2 垂直结构单层异质结肖特基二极管 | 第42-44页 |
| 3.3 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 多层异质结肖特基器件 | 第45-53页 |
| 4.1 平面结构双层异质结肖特基器件 | 第45-48页 |
| 4.2 垂直结构双层异质结肖特基器件 | 第48-52页 |
| 4.3 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 变铝组分多层异质结肖特基器件 | 第53-71页 |
| 5.1 平面结构变铝组分双层异质结肖特基器件 | 第53-66页 |
| 5.1.1 平面结构变铝组分双层异质结肖特基器件结构设计 | 第53-58页 |
| 5.1.2 平面结构变铝组分双层异质结肖特基器件尺寸调整 | 第58-66页 |
| 5.2 垂直结构变铝组分双层异质结肖特基器件 | 第66-68页 |
| 5.3 总结 | 第68-71页 |
| 第六章 总结和展望 | 第71-73页 |
| 6.1 总结 | 第71-72页 |
| 6.2 展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |