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基于热中子的瞬发伽马射线活化成像技术的模拟研究

摘要第4-5页
abstract第5页
第一章 引言第12-23页
    1.1 辐射成像第12-17页
        1.1.1 X射线成像技术第13-14页
        1.1.2 中子照相技术第14-17页
    1.2 PGAI技术的发展动态及应用现状第17-21页
    1.3 本课题研究内容第21-23页
第二章 PGAI技术及蒙特卡罗方法简介第23-32页
    2.1 中子与物质相互作用第23-25页
        2.1.1 弹性散射(n,n)第23-24页
        2.1.2 非弹性散射(n,n’)第24页
        2.1.3 辐射俘获(n,γ)第24-25页
    2.2 伽马射线与物质相互作用第25-29页
        2.2.1 光电效应第25-26页
        2.2.2 康普顿效应第26-27页
        2.2.3 电子对效应第27-28页
        2.2.4 三种效应的比较第28-29页
    2.3 PGAI的技术原理第29页
    2.4 蒙特卡罗方法及MNCP软件第29-32页
        2.4.1 蒙特卡罗方法第29-30页
        2.4.2 MNCP简介第30-32页
第三章 基于D-D中子发生器的热中子PGAI测量平台模拟优化设计及测量结果第32-50页
    3.1 PGAI测量平台模拟设计思路第32-33页
    3.2 D-D中子发生器MCNP模型的建立第33-35页
    3.3 D-D中子发生器的准直系统设计第35-41页
        3.3.1 慢化体设计第35-36页
        3.3.2 反射体设计第36-37页
        3.3.3 准直体设计第37-39页
        3.3.4 屏蔽体设计第39-40页
        3.3.5 设计小结第40-41页
    3.4 探测系统设计第41-44页
        3.4.1 探测器选择第41-43页
        3.4.2 探测器准直器设计第43-44页
    3.5 基于D-D中子发生器的PGAI测量平台MCNP模拟计算第44-45页
    3.6 模拟结果与分析第45-50页
第四章 影响PGAI技术测量结果准确性的研究第50-63页
    4.1 物理机制分析第50页
    4.2 中子自屏及中子散射效应的理论计算修正方法第50-54页
        4.2.1 中子输运理论第50-51页
        4.2.2 基于中子输运理论的计算第51-54页
        4.2.3 基于中子输运理论的修正小结第54页
    4.3 中子自屏及中子散射效应的MCNP模拟修正方法第54-57页
        4.3.1 MCNP模拟修正方法的计算第54-57页
        4.3.2 基于MCNP模拟方法的修正小结第57页
    4.4 伽马射线衰减修正方法第57-59页
        4.4.1 伽马射线衰减修正理论第57-59页
        4.4.2 伽马射线衰减修正小结第59页
    4.5 PGAI技术分析结果的影响研究第59-63页
        4.5.1 体积元大小第59-62页
        4.5.2 模拟结果小结第62-63页
第五章 总结与展望第63-65页
    5.1 研究工作总结第63-64页
    5.2 研究工作展望第64-65页
参考文献第65-69页
致谢第69-70页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第70页

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