| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 表面等离激元的简介 | 第7-11页 |
| 1.1.1 表面等离激元的定义 | 第7-8页 |
| 1.1.2 表面等离激元的激发方式 | 第8-9页 |
| 1.1.3 等离激元的物理机理 | 第9-11页 |
| 1.2 表面等离激元的研究热点方向 | 第11-13页 |
| 1.2.1 异常透射现象 | 第11-12页 |
| 1.2.2 局域表面等离激元共振峰的变化 | 第12页 |
| 1.2.3 表面增强拉曼散射 | 第12页 |
| 1.2.4 负折射率材料 | 第12-13页 |
| 1.2.5 超高分辨率成像 | 第13页 |
| 1.3 柔性光子(电子)器件的发展 | 第13-17页 |
| 第二章 大面积柔性等离激元制备相关技术与研究背景 | 第17-24页 |
| 2.1 传统纳米结构的制备技术 | 第17-19页 |
| 2.1.1 电子束曝光技术 | 第17-18页 |
| 2.1.2 聚焦离子束光刻 | 第18-19页 |
| 2.1.3 自组装技术 | 第19页 |
| 2.1.4 纳米掩模板技术 | 第19页 |
| 2.2 纳米压印技术 | 第19-22页 |
| 2.2.1 纳米压印技术简介 | 第20-21页 |
| 2.2.2 纳米压印印章材料准备 | 第21页 |
| 2.2.3 纳米压印几种工艺 | 第21-22页 |
| 2.3 相关微加工技术 | 第22-23页 |
| 2.3.1 等离子体刻蚀技术 | 第22页 |
| 2.3.2 薄膜沉积技术 | 第22-23页 |
| 2.4 小结 | 第23-24页 |
| 第三章 大面积柔性等离激元结构的制备 | 第24-34页 |
| 3.1 硅片基底的制备 | 第24-27页 |
| 3.2 二级印章的制备 | 第27-28页 |
| 3.3 柔性基底的等离激元结构器件制备 | 第28-29页 |
| 3.4 器件的表征 | 第29-33页 |
| 3.5 小结 | 第33-34页 |
| 第四章 大面积柔性等离激元的可降解谐振调控方法与表征 | 第34-48页 |
| 4.1 新型等离激元材料-Mg | 第34页 |
| 4.2 Mg材料的等离激元器件制备与表征 | 第34-36页 |
| 4.3 瞬态等离激元器件的实现 | 第36-47页 |
| 4.3.1 金属Mg薄膜的在水中的可降解性质 | 第37-39页 |
| 4.3.2 Mg等离激元器件在水中可降解反应的表面形貌与谐振变化 | 第39-42页 |
| 4.3.3 Au器件在水中可降解反应对比 | 第42-43页 |
| 4.3.4 有限单元模拟(FEM)与实际实验的对比分析 | 第43-47页 |
| 4.4 小结 | 第47-48页 |
| 第五章 Mg等离激元器件的应用 | 第48-56页 |
| 5.1 湿度传感器应用 | 第48-52页 |
| 5.1.1 传统相对湿度的测量方法 | 第48页 |
| 5.1.2 Mg等离激元器件相对湿度的测量应用的实现 | 第48-52页 |
| 5.2 Mg等离激元器件作为可穿戴性器件的应用 | 第52-55页 |
| 5.3 小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-59页 |
| 6.1 后续工作 | 第56-58页 |
| 6.1.1 可降解基底的实现 | 第56-57页 |
| 6.1.2 小结 | 第57-58页 |
| 6.2 主要结论 | 第58页 |
| 6.3 研究展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 附录 | 第66页 |
